[发明专利]一种非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法与垃圾回收系统在审
| 申请号: | 202110839169.6 | 申请日: | 2021-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN113590503A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 赵啟鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥康芯威存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 朱艳 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 挥发性 记忆体 存储器 垃圾 回收 方法 系统 | ||
本发明提出一种非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法及垃圾回收系统,包括:确定源存储块和目标存储块;将所述源存储块中的有效数据转移至所述目标存储块中,并获取转移过程中的错误物理地址;根据所述错误物理地址在第一映射表中获得相对应的错误逻辑地址;根据所述错误逻辑地址在第二映射表中获得相对应的条目,并将所述条目中的物理地址更新为虚拟值;其中,当主机向所述非挥发性记忆体存储器发送读请求时,则判断所述读请求是否命中所述虚拟值;若是,则向所述主机发送报错信号;若否,则继续进行所述读请求。本发明提出的非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法及垃圾回收系统可以提高非挥发性记忆体存储器的使用寿命。
技术领域
本发明涉及存储技术领域,特别涉及一种非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法与垃圾回收系统。
背景技术
目前绝大多数非挥发性记忆体存储器使用闪存芯片作为存储介质。闪存芯片是一种非易失性存储器,其基本存储单元是浮栅晶体管,因电荷泄漏、氧化层老化等物理特性。数据写入闪存阵列前需要进行编码,数据从闪存阵列读出后需要进行解码。由于闪存本身的物理属性,当从闪存阵列中读取数据时会发生数据比特位翻转现象。当发生翻转的比特位数比较大时,读取的数据会出错,此时主控会启动纠错模块进行纠错。当主控的纠错模块无法纠错成功时,就需要固件进行相应的错误处理。由于主机在从非挥发性记忆体存储器中读取数据出现错误是才会报错,并且垃圾回收只是在非挥发性记忆体存储器内部运转,如果垃圾回收读出错也向主机发送错误状态,这就会对非挥发性记忆体存储器的使用寿命有很大影响。
发明内容
鉴于上述现有技术缺陷,本发明提出一种非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法与垃圾回收系统,通过该垃圾回收方法可以减少垃圾回收读出错时向主机发送报错信号的次数,延长该非挥发性记忆体存储器的使用寿命。
为实现上述目的及其他目的,本发明提出一种非挥发性记忆体存储器的垃圾回收方法,包括:
确定源存储块和目标存储块;
将所述源存储块中的有效数据转移至所述目标存储块中,并获取转移过程中的错误物理地址;
根据所述错误物理地址在第一映射表中获得相对应的错误逻辑地址;
根据所述错误逻辑地址在第二映射表中获得相对应的条目,并将所述条目中的物理地址更新为虚拟值;
其中,当主机向所述非挥发性记忆体存储器发送读请求时,则判断所述读请求是否命中所述虚拟值;
若是,则向所述主机发送报错信号;
若否,则继续进行所述读请求。
进一步地,所述第二映射表为主机逻辑地址到存储块物理地址映射表,所述第一映射表为存储块物理地址到主机逻辑地址映射表。
进一步地,判断所述读请求是否命中所述虚拟值的步骤包括:
获取所述读请求中的逻辑地址;
根据所述逻辑地址在所述第二映射表中获得相对应的条目;
判断所述条目中的所述物理地址是否为虚拟值;
若是,则所述读请求命中所述虚拟值;
若否,则所述读请求未命中所述虚拟值。
进一步地,当所述主机向所述非挥发性记忆体存储器发送写请求时,且所述写请求中的逻辑地址命中所述错误逻辑地址,则根据所述逻辑地址在所述第二映射表中获得相对应的所述条目,并将所述条目中的所述虚拟值更新成所述逻辑地址相对应的物理地址。
进一步地,获取转移过程中的错误物理地址的步骤包括:
确定所述源存储块的所述有效数据;
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