[发明专利]一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202110838195.7 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113683399A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨利;杨小燕;匡小军 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.本发明公开一种介电常数ε为9，品质因子与谐振频率乘积(Q×f)为15895GHz，谐振频率温度系数(τf)为-53.7ppm/℃的新型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷制备技术领域，其化学组成为Ca3Sb2Ga2ZnO12。
2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷，其特征在于，该陶瓷按以下步骤制备：
(1)将纯度为99.99％的CaCO3,Sb2O5,Ga2O3,ZnO干燥粉末按Ca3Sb2Ga2ZnO12化学式称量配料；
(2)将步骤(1)中原料混合湿式手磨1-2小时，溶剂为无水乙醇，烘干后在1100℃大气气氛中预烧8小时；
(3)往由步骤(2)制得的粉末再压制成型，最后在1240℃大气气氛中烧结8小时。
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