[发明专利]体声波谐振器滤波器

说明书

本公开提供一种体声波谐振器滤波器。体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间，射频信号通过第一端口和第二端口；第二分路体声波谐振器，分路电连接在串联体声波谐振器与地之间，并且第二分路体声波谐振器的谐振频率低于串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到第二分路体声波谐振器并且具有高于第二分路体声波谐振器的谐振频率的谐振频率。串联体声波谐振器和第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在第一电极的上表面上；第二电极，设置在压电层的上表面上；以及沟槽，形成在第二电极的上表面中或所述第二电极上方并且向下凹入。

本申请要求于2020年12月24日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0183642号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器滤波器。

背景技术

随着移动通信装置、化学测试装置和生物测试装置等的快速发展，对在这些装置中使用的小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等的需求正在增加。

诸如体声波(BAW)滤波器的体声波谐振器可被构造为实现这种小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等。与介电滤波器、金属腔滤波器、波导滤波器等相比，由于这种体声波谐振器非常小并且具有良好的性能，因此它可广泛用于需要良好性能(例如，宽通带宽)的现代移动装置的通信模块中。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间；第二分路体声波谐振器，分路电连接在所述串联体声波谐振器与地之间，并且所述第二分路体声波谐振器的谐振频率低于所述串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到所述第二分路体声波谐振器，并且所述第一分路体声波谐振器的谐振频率高于所述第二分路体声波谐振器的所述谐振频率，其中，所述串联体声波谐振器和所述第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；第二电极，设置在所述压电层的上表面上；以及沟槽，设置在所述第二电极的上表面中或所述第二电极上方，并且向下凹入。

所述第一分路体声波谐振器可包括所述第一电极、所述压电层、所述第二电极和所述沟槽。

所述第一分路体声波谐振器的所述谐振频率可等于或高于所述串联体声波谐振器的所述谐振频率。

所述沟槽可分别设置在所述第一分路体声波谐振器和所述串联体声波谐振器中。

所述沟槽的宽度可大于等于0.6μm且小于等于1.8μm。

所述沟槽的深度可大于0nm并且小于或等于100nm。

所述第一端口和所述第二端口之间的通带的带宽可以是200MHz或更大。

当与所述第一端口和所述第二端口之间的通带的最低频率相对应的衰减极点的频率为F，所述沟槽的宽度为W时，W×F可大于等于0.6×3.485(μm×GHz)且小于等于1.8×3.485(μm×GHz)。

当所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的重叠面积为A，所述沟槽的宽度为W时，W/A可大于等于0.6/4900(μm/(μm)²)且小于等于1.8/4900(μm/(μm)²)。

所述沟槽可在所述第二电极的所述上表面中朝向所述压电层凹入。