[发明专利]体声波谐振器滤波器在审
| 申请号： | 202110836096.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN114679155A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李泰京;朴赞喜;严在君 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/54 | 分类号： | H03H9/54;H03H9/205;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 钱海洋;王春芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声波 谐振器 滤波器 | ||
1.一种体声波谐振器滤波器，包括：
串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间；
第二分路体声波谐振器，分路电连接在所述串联体声波谐振器与地之间，并且所述第二分路体声波谐振器的谐振频率低于所述串联体声波谐振器的谐振频率；以及
第一分路体声波谐振器，串联电连接到所述第二分路体声波谐振器，并且所述第一分路体声波谐振器的谐振频率高于所述第二分路体声波谐振器的所述谐振频率，
其中，所述串联体声波谐振器和所述第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：
第一电极，设置在基板上方；
压电层，设置在所述第一电极的上表面上；
第二电极，设置在所述压电层的上表面上；以及
沟槽，设置在所述第二电极的上表面中或所述第二电极上方，并且向下凹入。
2.如权利要求1所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器包括所述第一电极、所述压电层、所述第二电极和所述沟槽。
3.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器的所述谐振频率等于或高于所述串联体声波谐振器的所述谐振频率。
4.如权利要求3所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽分别设置在所述第一分路体声波谐振器和所述串联体声波谐振器中。
5.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的宽度大于等于0.6μm且小于等于1.8μm。
6.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的深度大于0nm且小于或等于100nm。
7.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一端口和所述第二端口之间的通带的带宽是200MHz或更大。
8.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，与所述第一端口和所述第二端口之间的通带的最低频率相对应的衰减极点的频率为F，所述沟槽的宽度为W，并且W×F大于等于0.6×3.485(μm×GHz)且小于等于1.8×3.485(μm×GHz)。
9.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的重叠面积为A，所述沟槽的宽度为W，并且W/A大于等于0.6/4900(μm/(μm)2)且小于等于1.8/4900(μm/(μm)2)。
10.如权利要求1所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽在所述第二电极的所述上表面中朝向所述压电层凹入。
11.如权利要求10所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二电极包括在所述第二电极的所述上表面上向上凸出的框架，并且
其中，所述沟槽的宽度小于所述框架的宽度。
12.如权利要求1-11中任一项所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第二分路体声波谐振器包括多个第二分路体声波谐振器，所述多个第二分路体声波谐振器分别设置在所述串联体声波谐振器与地之间的多个分路连接路径中，
其中，所述第一分路体声波谐振器设置在所述多个分路连接路径的一部分中，并且
所述多个分路连接路径中的其中设置有所述第一分路体声波谐振器的分路连接路径设置在所述多个分路连接路径中的其中未设置所述第一分路体声波谐振器的多个分路连接路径之间。
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