[发明专利]一种光电子器件封装用的组成物及其形成的封装结构

权利要求书

1.一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，以质量百分比计，所述组成物由49％～91％的多元丙烯酸酯类单体；6％～50％的单官能团丙烯酸酯类单体；以及0.5％～5％的光引发剂组成；

所述多元丙烯酸酯类单体结构如式1所示：

在式1中：存在含硅单元M、烷烃或杂烷烃及其衍生物X、芳基或杂芳基及其衍生物单元Y、丙烯酸酯单元A中的一种或者多种；S为C、Si中的一种，_S数值为1。

2.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述含硅单元M结构如式2所示：

在式2中：以硅氧烷为结构单元，R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8是各自独立地为氢；经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C1到C30烷基醚基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基或经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基中的一种或者两种；

其中：*表示连接处；

R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8中至少有一个Si原子与苯环相连；

m1,m2,m3,m4取1或0中的任意一个数，且不同时为1和0。

3.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述含烷烃或杂烷烃及其衍生物单元X中：X1,X2,X3,X4是单键、经取代或未经取代的C1到C20的亚烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚烷氧基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基亚烷基。

4.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述芳基或杂芳基及其衍生物单元Y结构如式3-1和式3-2所示：

其中：Y为Y1,Y2,Y3,Y4，结构为单键、C1-C50的烷基、C1-C50的烷氧基、式3-1和式3-2中任意一个；

K2,K3,K4,K5与H、OH、N、S、Cl、Br、羧酸酯、羧酸、酰胺、烷基、烷氧基、杂环基团直接相连，碳原子数为C1-C20；

K1,K6为H或含有C1-C50取代的烃基；与其直接相连的结构为如下任何一种，且L1、L2、L3为C1～C20的取代或不取代烃基：

*-O-*

5.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述丙烯酸酯单元Y结构如式4所示：

在式4中：Q1、Q2为经取代或未经取代的C1-C30的烃基。

6.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述芳基或杂芳基及其衍生物单元为

中的一种或者多种混合物。

7.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述多元丙烯酸酯类单体分子量为100～2000g/mol。

8.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述单官能团丙烯酸酯类单体结构如式5所示：

在式5中：V1,V2为取代基氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C1到C30烷基醚基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基或经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基中的一种或者两种；

其中：v1,v2分别为0-10之间的任意整数。

9.根据权利要求1所述的一种光电子器件封装用的组成物，其特征在于，所述光引发剂为嗪、苯乙酮、二苯甲酮、噻吨酮、安息香、膦、肟类引发剂中的一种或者多种混合物。

10.一种光电子器件封装结构，其特征在于，所述封装结构包括在电子器件表面形成第一无机层(1)，然后将将权利要求1-9任一所述的组成物涂布在第一无机层(1)经过固化后得到处理得到有机层(2)，最后再在有机层(2)表面形成第二无机层(3)；

其中：第一无机层(1)和第二无机层(3)通过PECVD的方式将无机材料沉积与衬底表面，其材料为SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄中的一种或者多种混合物。