[发明专利]存储元件、存储元件阵列及存储元件的驱动方法

权利要求书

1.一种包括双PN结的存储元件，其特征在于，包括：

具有至少一个双PN结的半导体层；以及

同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；

所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。

2.根据权利要求1所述的包括双PN结的存储元件，其特征在于，

所述半导体层为NPN或PNP型半导体层。

3.根据权利要求2所述的包括双PN结的存储元件，其特征在于，

所述存储层为NPN型，所述N型半导体层中某一者为低浓度，其余一者为高浓度。

4.根据权利要求3所述的包括双PN结的存储元件，其特征在于，

所述低浓度N型存储层与所述阳极相接，所述高浓度N型存储层与所述阴极相接。

5.根据权利要求4所述的包括双PN结的存储元件，其特征在于，

所述阳极与所述低浓度N型存储层之间的接合为肖特基结，所述高浓度N型存储层与所述阴极之间的接合为欧姆结。

6.一种包括权利要求1至5中任一项的存储元件作为单位器件的存储元件阵列。

7.一种包括双PN结的存储元件的驱动方法，作为包括双PN结的存储元件的驱动方法，其特征在于，包括：

向所述存储元件施加编程电压的步骤；

借助于所述编程电压，降低所述双PN结的势垒，使载流子移动到半导体层，降低所述半导体层的阻抗的步骤；以及

读取所述半导体层的阻抗的步骤；

所述包括双PN结的存储元件包括：

具有至少一个双PN结的半导体层；以及

同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；

所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。

8.根据权利要求7所述的包括双PN结的存储元件的驱动方法，其特征在于，

所述存储元件的驱动方法还包括：在降低所述半导体层的阻抗的步骤后，向所述存储元件选择性地施加擦除电压，提高所述半导体层的阻抗的步骤。

9.根据权利要求8所述的包括双PN结的存储元件的驱动方法，其特征在于，

还包括：在施加所述编程电压后，再次向所述存储元件选择性地施加更新电压，再次降低所述半导体层的阻抗的步骤。

10.一种包括双PN结和控制栅的无电容器存储元件，其特征在于，包括：

具有至少一个双PN结的半导体层；

与所述半导体层相接的控制栅；以及

同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；

所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。

11.根据权利要求10所述的包括双PN结和控制栅的无电容器存储元件，其特征在于，

所述半导体层为NPN型，所述N型半导体层中某一者为低浓度，其余一者为高浓度，

低浓度的所述N型半导体层与所述阳极相接，高浓度的所述N型半导体层与所述阴极相接。

12.根据权利要求11所述的包括双PN结和控制栅的无电容器存储元件，其特征在于，

低浓度的所述N型存储层与所述阳极相接，高浓度的所述N型存储层与所述阴极相接。

13.一种包括权利要求10至12中任一项的存储元件作为单位器件的存储元件阵列。