[发明专利]一种减粘膜及其制备方法有效
申请号: | 202110823513.2 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113429895B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘实 | 申请(专利权)人: | 上海万生合金材料有限公司 |
主分类号: | C09J7/24 | 分类号: | C09J7/24;C09J7/25;C09J7/29;C09J7/30;C09J163/02;C09J123/12;C09J175/14 |
代理公司: | 上海新泊利知识产权代理事务所(普通合伙) 31435 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 201901*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 粘膜 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种减粘膜及其制备方法,从上往下依次包含柔性基材层、吸附补强层、绝缘UV胶层,所述吸附补强层具有静电吸附、耐高温特性,能够协同UV胶层增加整个减粘膜对于被粘材料的粘合力,制备出的减粘膜具有高粘结性、易剥离、无残胶的特点。此外,吸附补强层的耐高温性特性显著提高了减粘膜的热稳定性,能够延长其使用寿命和拓展其使用范围。
技术领域
本发明涉及功能胶带技术领域,具体涉及一种减粘膜及其制备方法。
背景技术
现阶段,我国的各个行业的发展都离不开电子科学技术的进步,而半导体材料是现代电子科学工业重要的基础产品。在现代社会的发展过程中,半导体材料始终处于重要地位。
在半导体材料中,半导体芯片的尺寸和精细程度影响着电子设备的轻量、高性能和多功能化。在制作半导体芯片的过程中,对半导体晶圆切割获得半导体芯片是必要的步骤,为保证芯片的生产良率和效率,常常使用半导体芯片切割胶带进行保护、固定和托载芯片。半导体芯片切割胶带需要满足切割时能够牢固粘接晶圆和芯片,且在切割完成后又便于芯片的剥离和拾取。传统的拾取工艺在切割芯片完成后,采用顶针直接将切割后的芯片从切割胶带顶起拾取,这种拾取方式在芯片较薄或尺寸较大时,容易导致拾取时芯片破碎。为了适应更多的技术诉求,随后开始探索半导体芯片减粘切割胶带。减粘方式分为UV减粘、加热减粘、温度控制减粘(冷却)、溶解减粘等多种方式。
UV减粘的方式是半导体芯片切割胶带的主流的减粘方式,UV减粘具有紫外固化的优点,固化速度快,生产效率高,能量利用率高,但是UV交联型树脂交联后粘合强度变化很大,需要辐射照射装置,维护成本高,也存在对具有非常强的UV记忆功能的部件受损的风险。而加热减粘方式采用外加热源的方式进行加热,对胶带以及部件的耐热性要求提出了更高的要求,加热时整个元器件都会受到影响,此外,外加热源的加热速度慢,加热不均匀,能量浪费严重。
因此,急需研发新的减粘膜,来解决现有的技术难题。
发明内容
发明目的:针对现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供一种具有高粘力、易剥离、热稳定性好的减粘膜。
本发明的技术方案:
为了实现上述发明目的,本发明提供的技术方案如下:
一种减粘膜,由上至下依次包含柔性基材层、吸附补强层、绝缘UV胶层。
进一步地,所述柔性基材层厚度为5-44μm,所述吸附补强层厚度为30-65μm,所述绝缘UV胶层总厚度为20-40μm,所述减粘胶膜总厚度为60-150μm。
进一步地,制备所述柔性基材层的原料包含以下重量份的组分:基体树脂80-95份、填料2-10份、滑爽剂0.1-5份。
进一步地,制备所述吸附补强层的原料包含以下重量份的组分:基体树脂80-90份、填料5-10份、滑爽剂0.1-2份、脂肪酸酰胺1-5份和静电驻极剂0.01-0.5份。
进一步的,制备所述绝缘UV胶层的原料包含以下重量份的组分:基体树脂40-70份、基体胶水50-80份、低聚物10-25份、固化剂0.1-2份、填料1-10份、滑爽剂1-5份、光引发剂0.1-2份、塑化剂1-10份。
进一步地,制备所述绝缘层的原料包含以下重量份的组分:基体树脂60-95份、填料1-10份、滑爽剂1-5份。
进一步地,所述基体树脂选自PP(聚丙烯)、PI(聚酰亚胺)、PMP(聚4-甲基-1-戊烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PAA(聚芳基乙炔基)中的一种或多种。
进一步地,所述填料选自费托蜡、聚乙烯蜡中的一种或多种。
进一步地,所述脂肪酸酰胺选自十六烷酸酰胺、芥酸酰胺、油酸酰胺中的一种或多种。
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