[发明专利]制作积层陶瓷电容器端电极与印刷全面积内电极保护层的方法

说明书

一种制作积层陶瓷电容器端电极与印刷全面积内电极保护层的方法，是应用积层陶瓷电容器(Multi‑layer ceramic capacitors,MLCC)利用薄层化介电陶瓷层厚度与数层镍内电极堆栈，来达到高电容化的目的时制作出高密度的电极与陶瓷比的端边与侧边。藉此，本发明以超低温电化学沉积镀膜技术制作低内应力的积层陶瓷电容器端电极与绝缘保护层，可提高积层陶瓷电容器的良率并降低制造成本。

技术领域

本发明有关于一种制作积层陶瓷电容器端电极与印刷全面积内电极保护层的方法，特别是指以超低温电化学沉积镀膜技术制作低内应力的积层陶瓷电容器端电极与绝缘保护层，可提高积层陶瓷电容器的良率并降低制造成本的方法。

背景技术

如图12所示，为端边与侧边低密度镍内电极结构，表1为传统低镍密度积层陶瓷电容器(Multi-layer ceramic capacitors,MLCC)端电极制作原理与方法，说明目前一般积层陶瓷电容器5的端电极制作是利用含玻璃的厚膜铜膏，利用浸镀制程制作端电极成型，再利用高温(800～900℃)在氮气气氛保护下进行热处理烧结形成铜端电极53，利用铜与镍内电极52形成合金奥姆接触来并联内电极52达到低损耗高容值的目的，再利用铜膏内玻璃来连结介电陶瓷体51与铜端电极53。

表1传统MLCC端电极制作原理与方法

由表1可知，现有技术是使用厚膜导电铜膏，经过浸镀制程成型，再经过750～900℃的氮气还原气氛下热处理约1小时，烧结成积层陶瓷电容器铜端电极。然而，此积层陶瓷电容器高温还原气氛端电极制程，由于高温热处理造成积层陶瓷电容产生高内应力释放而造成组件裂缝与严重缺陷。

再者，该积层陶瓷电容器5在制作高电容值时除了需要降低相邻内电极52之间的介电陶瓷层51厚度，同时也要堆栈更多内电极52的层数，如此一来就容易造成中间有电极的密度远高于两边只有介电陶瓷层51的密度，进一步高温烧结后就容易形成所谓面包效应，如图13所示，该积层陶瓷电容器上下会有如面包般的凸起。对于前述制作高电容值的积层陶瓷电容器由于薄层化介电层与多内电极堆栈造成中间有电极部分与侧边无电极部分密度有极大差异的解决办法，现有技术是利用在两边无电极部分补印刷陶瓷体来减少中间有电极部分与两边无电极部分的密度，另一种作法是在两边额外制作高温陶瓷绝缘保护层，需要进行额外印刷陶瓷绝缘层，再进行超高温还原气氛保护下烧结，让积层陶瓷电容器与保护层密切结合；藉此，以该等作法补足镍内电极层厚度。然而，此积层陶瓷电容器以额外制作高温陶瓷绝缘保护层制程，由于高温热处理造成积层陶瓷电容产生高内应力释放而造成组件裂缝与严重缺陷。

鉴于目前积层陶瓷电容器端电极制程是属于高温还原气氛烧结，并且高电容积层陶瓷电容器烧结后因中间含多数电极堆栈与两边无电极空白陶瓷层密度差异造成凸起面包效应，对于高电容积层陶瓷电容产生的内应力质量问题是一大挑战，因此极需发展超低温端电极技术。故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服已知技术所遭遇的上述问题，并提供一种制作积层陶瓷电容器端电极与印刷全面积内电极保护层的方法，以超低温电化学沉积镀膜技术制作低内应力的积层陶瓷电容器端电极与绝缘保护层，可提高积层陶瓷电容器的良率并降低制造成本。

为达以上目的，本发明采用的技术方案是：一种制作积层陶瓷电容器端电极与印刷全面积内电极保护层的方法，该方法至少包含下步骤：步骤A：提供一烧结过后没有端电极的积层陶瓷电容器，该积层陶瓷电容器是由数层薄层化介电陶瓷层与数层内电极交互堆栈而成，且该积层陶瓷电容器的内电极是印刷全部面积，使该积层陶瓷电容器端边具有高密度的内电极；步骤B：利用湿式化学浸置镀膜方式，将该积层陶瓷电容器浸置在一温度小于80℃的金属溶液中，刚开始经过电化学沉积，在该内电极表面慢慢长成金属镀膜；以及步骤C：经过沉积1～2小时后，长在该内电极表面的金属镀膜持续成长而连在一起，使该积层陶瓷电容器端边形成连接面的金属镀膜端电极。