[发明专利]一种导光板结构及其制备方法

权利要求书

1.一种导光板结构，其特征在于，包括UTG层、QD量子点涂层、反射片、增光膜以及扩散片，所述UTG层分为入光侧部分与出光部分，入光侧部分厚度大于出光部分形成断差，QD量子点均匀涂布在UTG层的出光部分上表面形成QD量子点涂层；所述扩散片与增光膜从上至下设置在QD量子点涂层表面；所述反射片贴合于UTG层下表面。

2.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，还包括通过QD量子点涂层表面粗糙度与UTG层表面粗糙度不同形成的空气层，位于QD量子点涂层与UTG层之间。

3.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，所述UTG层的入光侧部分与出光部分连接处夹角为135度或90度。

4.一种导光板结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、制作UTG基材，将UTG基材分为入光侧部分与出光部分，入光侧部分厚度大于出光部分；

步骤2、在UTG基材上制作网点图案；

步骤3、将QD量子点涂布在UTG基材出光部分的表面，经过UV烘烤固化，形成QD量子点涂层、空气层、UTG层的结构；

步骤4、将反射片贴合到UTG层下表面，增光膜贴合到QD量子点涂层表面，扩散片贴合到增光膜上，完成导光板结构制备。

5.根据权利要求4所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述步骤1中具体方法为：通过玻璃减薄工艺对UTG基材进行减薄处理制作出光部分，使得入光侧部分厚度大于出光部分形成断差，两部分连接处夹角为135度或90度。

6.根据权利要求4或5所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述步骤2的子步骤为：

步骤2.1、在UTG基材上涂布耐酸油墨形成保护层，并保护层表面涂覆一层光刻胶；

步骤2.2、将具有所需网点图形的掩模板覆盖于涂有光刻胶的UTG基材上，进行曝光处理；

步骤2.3、通过显影液进行光刻胶显影；

步骤2.4、在光刻胶表面喷洒氢氟酸，氢氟酸与未被光刻胶覆盖的UTG发生化学反应，蚀刻掉UTG表面实体，形成网点图形的图案。

7.根据权利要求6所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述掩模板中的网点呈非线性排列，网点直径大小为0.01-0.5mm，深度为0.01-0.1mm。

8.根据权利要求4或5所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述步骤3中，QD量子点通过印刷或喷墨的方式涂布在UTG基材出光部分的表面。

9.根据权利要求8所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述UTG层与QD量子点涂层表面粗糙度不同从而形成所述空气层。

10.根据权利要求6所述的导光板结构制备方法，其特征在于，所述氢氟酸浓度为5％-50％。