[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供一种对流通有要供给到基片的液体的供给路径中的杂质进行光学检测的基片处理装置和基片处理方法。该基片处理装置包括：使要供给到基片的液体流通的供给路径；和杂质检测单元，其基于信号来检测所述液体中的杂质，其中所述信号是由投光部向形成所述供给路径的一部分的流路形成部照射作为近红外线的光而使光从所述流路形成部发出后，受光部接收从所述流路形成部发出的光而得到的信号。根据本发明，能够使基片处理装置应用更多种类的液体。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造步骤中，对作为圆形的基片的半导体晶片(以下，记作晶片)供给各种处理液来进行处理。正在研究通过检测该处理液中的杂质来抑制晶片中的缺陷的产生。在专利文献1中记载了一种液体处理装置，其包括用于向晶片供给抗蚀剂的配管和存在于该配管的作为液中微粒计数器的传感器部。

另外，在专利文献2中记载了一种包括杂质检测部的装置，该杂质检测部向流体流动的流路部照射激光，在透射流路部的光路上设置有光检测部，基于接收到的光的强度来检测杂质。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-251328号公报

专利文献2：日本特开2019-220712号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种能够使对流通有要供给到基片的液体的供给路径中的杂质进行光学检测的基片处理装置应用更多种类的液体的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的基片处理装置包括：使要供给到基片的液体流通的供给路径；和杂质检测单元，其基于信号来检测所述液体中的杂质，其中所述信号是由投光部向形成所述供给路径的一部分的流路形成部照射作为近红外线的光而使光从所述流路形成部发出后，受光部接收从所述流路形成部发出的光而得到的信号。

发明效果

根据本发明，能够使对流通有要供给到基片的液体的供给路径中的杂质进行光学检测的基片处理装置应用更多种类的液体。

附图说明

图1是作为本发明的一个实施方式的SOC涂敷装置的概略结构图。

图2是上述SOC涂敷装置的俯视图。

图3是组装于所述SOC涂敷装置中的杂质检测单元的纵截侧视图。

图4是上述杂质检测单元的纵截后视图。

图5是上述杂质检测单元的立体图。

图6是上述杂质检测单元的概略侧视图。

图7是上述杂质检测单元的概略主视图。

图8是表示上述SOC涂敷装置的动作的流程图。

图9是表示上述杂质检测单元的各部分的位置关系的说明图。

图10是表示设置于上述杂质检测单元中的流路形成部的变形例的纵截侧视图。

图11是上述变形例的流路形成部的后视图。

图12是表示设置于上述杂质检测单元中的检测激光的机构的概略侧视图。

图13是表示设置于上述杂质检测单元中的光学检测系统的变形例的概略侧视图。

图14是表示设置于上述杂质检测单元中的光学检测系统的又一变形例的概略侧视图。

图15是表示上述杂质检测单元的变形例的顶视图。