[发明专利]用于使用牺牲封盖和绝缘层形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供包括多个外延层的半导体衬底，所述多个外延层包括沟道层和在所述沟道层上的永久盖，其中所述永久盖限定所述半导体衬底的上表面；

在所述装置的作用区中在所述永久盖上形成牺牲盖，其中所述牺牲盖包括半导体材料，所述半导体材料包括铝(Al)；

在所述装置的所述作用区中通过执行离子注入过程以将离子注入穿过所述牺牲盖并进入所述半导体衬底而在所述半导体衬底中形成一个或多个载流区；

完全移除所述装置的所述作用区中的所述牺牲盖，同时避免移除所述永久盖；以及

在所述一个或多个载流区上形成一个或多个载流触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟道层和所述永久盖包括氮化镓。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述永久盖包括非有意掺杂的氮化镓层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述永久盖包括掺杂的氮化镓层，其中所述永久盖中掺杂剂的浓度在10¹⁶cm^-3和10¹⁹cm^-3的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲盖包括：

形成包括氮化铝镓(AlGaN)和氮化铝(AlN)的多个交替层的超晶格结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲盖中的所述半导体材料包括III族氮化物半导体材料，所述III族氮化物半导体材料包括铝。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个载流区包括源极区和漏极区，并且其中执行所述离子注入过程包括：

在所述牺牲盖层上施加图案化掩模层，其中所述图案化掩模层包括在要形成所述源极区和漏极区的区域上的开口；

将离子注入穿过所述牺牲盖并进入所述永久盖和阻挡层以实现所述源极区和漏极区中在范围10¹⁷cm^-3到10²⁰cm^-3内的掺杂剂浓度；以及

在至少1000摄氏度的温度下执行注入退火过程。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述一个或多个载流触点包括源极触点和漏极触点，所述源极触点和所述漏极触点是欧姆触点，并且其中形成所述一个或多个载流触点包括：

在所述作用区上形成具有开口的电介质层，所述开口暴露所述永久盖的部分，所述部分对应于所述源极区和所述漏极区的上表面；

在所述永久盖的对应于所述源极区和所述漏极区的所述上表面的所述部分上形成多个导电层；以及

在400摄氏度或更低的温度下执行合金化过程以完成所述源极触点和所述漏极触点。