[发明专利]光调制器

说明书

本发明涉及光调制器。光调制器具备第一台面波导以及第二台面波导。第一台面波导以及第二台面波导分别具备：设置于衬底上的p型的第一半导体层；设置于第一半导体层上的p型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的芯层；以及设置于芯层上的n型的第三半导体层。第一半导体层具有比第二半导体层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。

技术领域

本发明涉及光调制器。

背景技术

专利文献1公开了具备设置在半绝缘性衬底上的两个台面波导的马赫曾德调制器。各台面波导具有所谓的pin结构。即，各台面波导具备在半绝缘性衬底上依次设置的n型半导体层、i型半导体层以及p型半导体层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2013/0209023号说明书

发明内容

发明所要解决的问题

在具有pin结构的台面波导中，一个台面波导的n型半导体层和另一个台面波导的n型半导体层经由导电层而彼此电连接。另一方面，由于p型半导体层位于台面波导的顶部，因此难以通过扩大p型半导体层来降低p型半导体层的电阻值。进一步地，通常而言，构成p型半导体层的半导体材料的电阻率大于构成n型半导体层的半导体材料的电阻率。因此，难以降低具有pin结构的台面波导的电阻值。

因此，考虑使用具有nip结构的台面波导来代替具有pin结构的台面波导。具有nip结构的台面波导包括依次设置在半绝缘性衬底上的p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层。为了降低p型半导体层的电阻值，考虑提高p型半导体层的掺杂剂浓度。但是，在该情况下，p型半导体层的光吸收系数会变大，因此在作为芯层的i型半导体层中传输的光的传输损失会增加。

本发明提供一种能够降低台面波导的电阻值并且降低在芯层中传输的光的传输损失的光调制器。

用于解决问题的手段

本发明的一个方面所涉及的光调制器具备第一台面波导以及第二台面波导，所述第一台面波导以及所述第二台面波导分别具备：设置于衬底上的p型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的p型的第二半导体层；设置于所述第二半导体层上的芯层；以及设置于所述芯层上的n型的第三半导体层，所述第一半导体层具有比所述第二半导体层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够降低台面波导的电阻值并且降低在芯层中传输的光的传输损失的光调制器。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式所涉及的光调制器的俯视图。

图2是沿着图1的II-II线的剖视图。

图3是沿着图1的III-III线的剖视图。

图4是表示频率与EO响应的关系的例子的图表。

图5是表示下部包覆层与光的传输损失的关系的例子的图表。

图6中的(a)、(b)以及(c)是示意性地表示第一实施方式所涉及的光调制器的制造方法的工序的剖视图。

图7是示意性地表示第二实施方式所涉及的光调制器的一部分的剖视图。

具体实施方式

【本发明的实施方式的说明】

一个实施方式所涉及的光调制器具备第一台面波导以及第二台面波导，所述第一台面波导以及所述第二台面波导分别具备：设置于衬底上的p型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的p型的第二半导体层；设置于所述第二半导体层上的芯层；以及设置于所述芯层上的n型的第三半导体层，所述第一半导体层具有比所述第二半导体层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。