[发明专利]光调制器在审
| 申请号： | 202110797125.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN114114721A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 河野直哉 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;霍玉娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制器 | ||
1.一种光调制器，其特征在于，
所述光调制器具备第一台面波导以及第二台面波导，
所述第一台面波导以及所述第二台面波导分别具备：设置于衬底上的p型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的p型的第二半导体层；设置于所述第二半导体层上的芯层；以及设置于所述芯层上的n型的第三半导体层，
所述第一半导体层具有比所述第二半导体层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。
2.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，所述第一台面波导的所述第一半导体层和所述第二台面波导的所述第一半导体层相互连接。
3.根据权利要求1或2所述的光调制器，其特征在于，
所述第一台面波导以及所述第二台面波导分别还具备设置在所述衬底与所述第一半导体层之间的防止扩散层，
所述防止扩散层防止所述第一半导体层中的掺杂剂向所述衬底扩散。
4.根据权利要求3所述的光调制器，其特征在于，
所述衬底是半绝缘性半导体衬底，
所述防止扩散层防止所述衬底中的掺杂剂向所述第一半导体层扩散。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第一半导体层包括InGaAs。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第一半导体层具有所述第二半导体层的掺杂剂浓度的10倍以上的掺杂剂浓度。
7.根据权利要求6所述的光调制器，其特征在于，所述第一半导体层的掺杂剂浓度是5×1018cm-3以上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第二半导体层包括与所述第一半导体层的半导体材料不同的半导体材料。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第二半导体层的厚度大于所述第一半导体层的厚度。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的光调制器，其特征在于，所述第二半导体层的厚度是1.4μm以上。
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