[发明专利]一种可控硅的触发电路、方法及负载控制电路

权利要求书

1.一种可控硅的触发电路，其特征在于，所述电路包括：

第一可控硅和第二可控硅，所述第一可控硅和所述第二可控硅的阳极用于电连接交流电第一极，所述第一可控硅和所述第二可控硅的阴极用于电连接交流电第二极；

所述第一可控硅的控制极电连接第一触发电路单元的一端,所述第一触发电路单元的另一端电连接第一温度检测电路单元的一端，所述第一温度检测电路单元的另一端用于电连接微控制器，其中，所述第一温度检测电路单元，用于检测所述第一可控硅的实时温度，所述第一触发电路单元，用于根据第一温度检测电路单元的检测结果触发所述第一可控硅导通或断开；

所述第二可控硅的控制极电连接第二触发电路单元的一端,所述第二触发电路单元的另一端电连接第二温度检测电路单元的一端，所述第二温度检测电路单元的另一端用于电连接所述微控制器，其中，所述第二温度检测电路单元，用于检测所述第二可控硅的实时温度，所述第二触发电路单元，用于根据第二温度检测电路单元的检测结果触发所述第二可控硅导通或断开。

2.根据权利要求1所述的可控硅触发电路，其特征在于，

当所述第一温度检测电路单元检测到所述第一可控硅的温度大于预设温度阈值时，所述第一触发电路单元触发所述第一可控硅断开，并且所述第二触发电路单元触发所述第二可控硅导通；

当所述第二温度检测电路单元检测到所述第二可控硅的温度大于预设温度阈值时，所述第二触发电路单元触发所述第二可控硅断开，并且所述第一触发电路单元触发所述第一可控硅导通。

3.根据权利要求1或2所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述第一触发电路单元包括第一电阻、第二电阻和第一三极管；

其中，所述第一电阻为限流电阻，所述第一电阻的一端电连接所述第一可控硅的控制极，另一端电连接所述第一三极管的集电极；

所述第二电阻为钳位电阻，所述第二电阻的一端电连接所述第一三极管的发射极，另一端电连接所述第一三极管的基极；

所述第一三极管的基极电连接所述第一温度检测电路单元。

4.根据权利要求3所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述第二触发电路单元包括第三电阻、第四电阻和第二三极管；

其中，所述第三电阻为限流电阻，所述第三电阻的一端电连接所述第二可控硅的控制极，另一端电连接所述第二三极管的集电极；

所述第四电阻为钳位电阻，所述第四电阻的一端电连接所述第二三极管的发射极，另一端电连接所述第二三极管的基极；

所述第二三极管的基极电连接所述第二温度检测电路单元。

5.根据权利要求4所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述第一温度检测电路单元包括第一正温度系数热敏电阻和第五电阻；

所述第一正温度系数热敏电阻的一端电连接所述第一三极管的基极，另一端电连接所述第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端用于电连接所述微控制器。

6.根据权利要求5所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述第二温度检测电路单元包括第一负温度系数热敏电阻、第二正温度系数热敏电阻和第六电阻；

所述第二正温度系数热敏电阻的一端电连接所述第二三极管的基极，另一端电连接所述第一负温度系数热敏电阻的一端，所述第一负温度系数热敏电阻的另一端电连接所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端用于电连接所述微控制器。

7.根据权利要求6所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述微控制器通过一个端口电连接所述第一温度检测电路单元的所述第五电阻和所述第二温度检测电路单元的所述第六电阻。

8.根据权利要求6或7所述的可控硅触发电路，其特征在于，所述第一正温度系数热敏电阻和所述第一负温度系数热敏电阻的装配位置靠近所述第一可控硅，使所述第一正温度系数热敏电阻和所述第一负温度系数热敏电阻可检测所述第一可控硅的温度；

所述第二正温度系数热敏电阻的装配位置靠近所述第二可控硅，使所述第二正温度系数热敏电阻可检测所述第二可控硅的温度。