[发明专利]晶圆处理方法和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202110793117.X | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113517192B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 孙璐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 制造 半导体器件 | ||
1.一种晶圆处理方法，包括：
在晶圆的边缘或附近设置具有至少一个通孔的保护件，所述至少一个通孔至少与所述晶圆的边缘部分对应；
利用加热设备辐射的热量对所述晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过所述至少一个通孔对所述晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对所述晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件具有环形圈的结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述环形圈的外径与内径之间的差为1mm至5mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件位于支承所述晶圆的边缘环上方。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件的外径等于或大于所述晶圆的外径。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个通孔包括多个通孔，所述多个通孔均匀地周向地布置在所述保护件中。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述通孔的尺寸是可调节的以改变穿过所述通孔的光的总量。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述通孔的数量是可调节的以改变穿过所述通孔的光的总量。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理为快速热退火处理工艺。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述半导体器件包括3D NAND型闪存。
11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过根据权利要求1所述的方法处理晶圆；
在经过热处理后的所述晶圆上形成半导体器件。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
