[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置，所述装置包括：

工艺腔室，所述工艺腔室配置为提供处理空间、并且包括配置为增加所述处理空间的内部温度的腔室加热器；

基板支承件，所述基板支承件提供在所述处理空间中、并且配置为支承所述基板；以及

基板加热构件，所述基板加热构件配置为在接触所述基板的下表面的情况下加热所述基板的所述下表面。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，用防干燥液体在通过使用所述超临界流体处理的所述基板上形成液膜。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热到所述防干燥液体与所述基板的表面反应时表现出莱顿弗罗斯特效应的温度。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热至所述防干燥液体的过渡沸点以上。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述基板加热构件将所述基板加热至110℃以上。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述腔室加热器和所述基板加热构件被独立地控制。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板加热构件具有对应于所述基板的整个表面的区域。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述工艺腔室通过上腔室和下腔室的结合形成，所述下腔室根据相对于所述上腔室的向上/向下移动而耦合至所述上腔室、并且通过与所述上腔室耦合而形成密封空间，以及

其中，所述基板支承件被耦合至上腔室，并且所述基板加热构件被耦合至下腔室。

9.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括：

第一供应端口，所述第一供应端口连接到第一供应管路，所述第一供应管路配置为将处理液体供应到所述工艺腔室的所述处理空间的、位于所述基板的下部的部分，

其中，所述基板加热构件被设置在所述第一供应端口与所述基板支承件之间，并且阻止所述超临界流体从所述第一供应端口直接喷射到所述基板。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，基板加热器被嵌入所述基板加热构件的内部，并且用由所述基板加热构件产生的热量加热所述基板。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，基板加热器被提供在所述下腔室的内部，所述基板加热器配置为加热所述基板加热构件，并且

其中，所述基板加热构件接收由所述基板加热器产生的热量并且加热所述基板。

12.根据权利要求9所述的装置，其中，所述下腔室由不锈钢材料形成。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述下腔室和所述基板加热构件通过具有设定导热率以上的材料而彼此连接。

14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板加热构件由不锈钢材料形成。

15.一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置，所述装置包括：

工艺腔室，所述工艺腔室配置为提供处理空间，并且包括配置为增加所述处理空间的内部温度的腔室加热器；

基板支承件，所述基板支承件设置在所述处理空间中并且配置为支承所述基板；以及

升降销，所述升降销配置为从所述基板支承件升高和降低所述基板，使得所述基板支承件接触所述基板、或者使得所述基板支承件与所述基板彼此间隔开，以及

基板加热构件，所述基板加热构件配置为将接触所述基板支承件的所述基板加热。