[发明专利]SAR-DAC器件及其工作方法有效

专利信息
申请号: 202110785299.6 申请日: 2019-01-10
公开(公告)号: CN113726340B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 肖艳;翁芊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03M1/72 分类号: H03M1/72;H03M1/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张凤伟;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: sar dac 器件 及其 工作 方法
【说明书】:

一种SAR‑DAC器件及其工作方法,SAR‑DAC器件包括:比较器,比较器有正输入端和负输入端;DAC核心单元,DAC核心单元包括:第一电容,第一电容有第一充放电端;第二电容,第二电容有第二充放电端;电流控制放电结构;电流控制放电结构包括若干个电流束电路单元,各个电流束电路单元均包括第一放电输入端和第二放电输入端,各第一放电输入端均与第一充放电端和正输入端连接,各第二放电输入均与第二充放电端和输入端连接;电流控制放电结构适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第一放电输入端对第一电容放电,还适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第二放电输入端对第二电容放电。所述SAR‑DAC器件的性能提高。

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种SAR-DAC器件及其工作方法。

背景技术

由于高质量多媒体以及高速通信额需要不断增长,数模转换器(DAC)的设计正在朝着高精度、高采样率以及低功耗的方向发展。其中,低功耗的设计对于便携式设备尤为重要。

逐次逼近型数模转换器(SAR-DAC)是一种公认的低功耗的DAC结构。尽管逼近型模数转换器的速度一般、精度中等,但是由于逐次逼近型模数转换器的功耗低,能满足大部分的市场需要,所以逐次逼近型模数转换器的应用较为广泛。

然而,现有的逐次逼近型模数转换器的性能还有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SAR-DAC器件及其工作方法,以提高SAR-DAC器件的性能。

为解决上述问题,本发明提供一种SAR-DAC器件,包括:比较器,所述比较器具有正输入端和负输入端;DAC核心单元,所述DAC核心单元包括:第一电容,第一电容具有第一充放电端,第一充放电端与所述正输入端连接;第二电容,第二电容具有第二充放电端,第二充放电端与所述负输入端连接;电流控制放电结构;所述电流控制放电结构包括若干个电流束电路单元,各个电流束电路单元均包括第一放电输入端和第二放电输入端,各第一放电输入端均与第一充放电端连接,各第二放电输入均与第二充放电端连接;所述电流控制放电结构适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第一放电输入端对第一电容放电,所述电流控制放电结构还适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第二放电输入端对第二电容放电。

可选的,各个电流束电路单元均包括:第一控制单元、第二控制单元和电流束镜像单元,第一控制单元与电流束镜像单元连接,第二控制单元与电流束镜像单元连接,第一控制单元适于导通或断开第一放电输入端至电流束镜像单元的放电路径,第二控制单元适于导通或断开第二放电输入端至电流束镜像单元的放电路径。

可选的,所述第一控制单元包括第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管的类型为P型,第一MOS晶体管的源极为第一放电输入端;第二控制单元包括第二MOS晶体管,第二MOS晶体管的类型为P型,第二MOS晶体管的源极为第二放电输入端;所述电流束镜像单元包括第三MOS晶体管,第三MOS晶体管的类型为N型,第三MOS晶体管的漏极分别与第一MOS晶体管的漏极以及第二MOS晶体管的漏极连接,第三MOS晶体管的源极接地。

可选的,所述电流控制放电结构还包括:正温度系数电路单元、负温度系数电路单元和偏置输出单元,所述偏置输出单元包括第一输出单元、第二输出单元和第三输出单元,第一输出单元与负温度系数电路单元连接,第二输出单元与正温度系数电路单元连接,第一输出单元的输出端和第二输出单元的输出端均与第三输出单元的输入端连接,第一输出单元适于输出负温度系数电流至第三输出单元,第二输出单元适于输出正温度系数电流至第三输出单元;各个电流束电路单元包括电流束镜像单元,各个电流束镜像单元均与所述第三输出单元的输入端连接,所述第三输出单元与所述电流束镜像单元为电流镜,所述第三输出单元中的电流适于镜像至各电流束镜像单元中。

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