[发明专利]一种去除光刻胶的方法

权利要求书

1.一种去除光刻胶的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；

去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成牺牲层，包括：

在所述衬底上形成光阻层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成牺牲层，包括：

在所述衬底上形成非金属氧化物层或氮化物层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为小于或等于2μm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成光刻胶层之后，还包括：

对所述光刻胶层进行软烘。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域，包括：

在所述光刻胶层为光刻正胶层时，对所述光刻正胶层进行曝光、烘烤、显影，去除曝光的区域，以形成刻蚀区域。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域，包括：

在所述光刻胶层为光刻负胶层时，对所述光刻负胶层进行曝光、烘烤、显影，去除未曝光的区域，以形成刻蚀区域。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域之后，还包括：

在所述刻蚀区域进行电镀或微孔刻蚀。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除，包括：

在所述牺牲层为所述光阻层时，采用所述光阻层材料的易溶溶液对所述牺牲层进行浸泡，以使的所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除，包括：

在所述牺牲层为所述非金属氧化物层或氮化物层时，对所述非金属氧化物层或氮化物层进行湿法刻蚀处理，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。