[发明专利]一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法有效
| 申请号： | 202110779909.1 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113539866B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李远星;姚淑一;朱宗涛;王尧;白玉杰;陈辉 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607;H01L45/00;C25D11/26 |
| 代理公司： | 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙) 51238 | 代理人： | 胡琳梅 |
| 地址： | 610000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超声 辅助 钎焊 制备 忆阻器 方法 | ||
1.一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，所述忆阻器包括底电极、中间介质层和顶电极，其特征在于，包括下述步骤：
(1)采用阳极氧化法在所述底电极上制备所述中间介质层；所述阳极氧化为“一步”或“二步”阳极氧化；
(2)采用超声辅助钎焊在所述中间介质层上制备所述顶电极；所述超声是在顶电极或底电极上施加超声波，超声频率19-21kHz，超声功率300-1000W，振幅1-20μm，超声时间为0.1-60s，共施加1-10次；
所述底电极为钛片，厚度0.1-5mm，所述中间介质层为氧化钛纳米管，厚度为0.01-60μm，所述顶电极为活性金属，厚度为0.01-5mm。
2.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，所述活性金属选自Ag、Cu、Al、Au、Pt、Pb、Sn及其合金中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，步骤(1)中，在阳极氧化前对底电极进行打磨抛光。
4.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述阳极氧化采用恒压模式，在10-200V直流电压下氧化0.5-4h。
5.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述阳极氧化的电解液组成为氟化铵、蒸馏水和乙二醇。
6.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述钎焊的钎料为纯金属或金属基的钎料，包括但不限于Ag及Ag基、Cu及Cu基、Al或Al基、Zn或Zn基、Sn或Sn基钎料。
7.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述钎焊的钎缝间隙为20-500μm，搭接长度为2-20mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
