[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板、电子纸器件及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制备第一金属层、公共电极层和金属端子，所述第一金属层包括多个栅极和多条扫描线，所述金属端子包括第一金属端子和第二金属端子，所述第一金属端子与所述扫描线相导通，所述第二金属端子与所述公共电极层相导通；

在所述基板上依次制备绝缘层和半导体通道层，所述绝缘层覆盖所述第一金属层、所述公共电极层和所述金属端子，所述半导体通道层位于所述绝缘层层上方；

在所述绝缘层中蚀刻出第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔用于暴露所述第一金属端子，所述第二接触孔用于暴露所述第二金属端子；

在所述绝缘层上方同时制备第二金属层、像素电极层和引线电极层，所述第二金属层包括多个源极、多个漏极和多条资料线，多条所述扫描线和多条所述资料线交叉设置以形成多个像素区域，所述像素电极层包括多个分别位于所述像素区域中的像素电极，所述像素电极与相应的所述漏极接触且相导通，所述引线电极层包括第一引线电极和第二引线电极，所述第一引线电极通过所述第一接触孔与所述第一金属端子相导通，所述第二引线电极通过所述第二接触孔与所述第二金属端子相导通。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述半导体通道层的材质采用a-Si、微晶硅、多晶硅或IGZO中的一种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，在所述绝缘层上方同时制备第二金属层、像素电极层和引线电极层后，在所述阵列基板的表面制作围堰矩阵，所述围堰矩阵覆盖所述第二金属层和所述引线电极层所在的区域并将所述像素电极层所在的区域裸露。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层、公共电极层和金属端子，均设于所述基板上且位于同一层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述金属端子包括第一金属端子和第二金属端子，所述第一金属端子与所述扫描线相导通，所述第二金属端子与所述公共电极层相导通；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一金属层、所述公共电极层和所述金属端子的上方；

半导体通道层，设于所述绝缘层上方；

第二金属层、像素电极层和引线电极层，设于所述绝缘层上方，且所述半导体通道层设于所述第二金属层和所述第一金属层之间；所述第二金属层包括源极、漏极和资料线，多条所述扫描线和多条所述资料线交叉设置以形成多个像素区域，所述像素电极层包括多个分别位于所述像素区域中的像素电极，所述像素电极与相应的所述漏极接触且相导通，所述引线电极层包括第一引线电极和第二引线电极；

第一接触孔，所述第一接触孔设置在所述绝缘层中且用于暴露所述第一金属端子，所述第一引线电极通过所述第一接触孔与所述第一金属端子相导通；

第二接触孔，所述第二接触孔设置在所述绝缘层中且用于暴露所述第二金属端子，所述第二引线电极通过所述第二接触孔与所述第二金属端子相导通。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层和所述像素电极层的材质均采用Mo、Gr、AL及其合金、ITO中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的材质采用SiO2、SiNx、SiONx中的一种或多种。

7.根据权利要求4中所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还设置有围堰矩阵，所述围堰矩阵覆盖所述第二金属层和所述引线电极层所在的区域并将所述像素电极层所在的区域裸露。

8.一种电子纸器件，其特征在于，包括如权利要求4-7任意一项所述的阵列基板以及对向基板，所述对向基板上镀有透明导电膜，所述阵列基板上设置有围堰矩阵，所述围堰矩阵内设置有电子墨水，所述对向基板与所述阵列基板贴合在一起，并将所述电子墨水封装在所述围堰矩阵内。