[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板、电子纸器件及其制造方法

说明书

本发明涉及显示器制造技术领域，提供了一种阵列基板制造方法，包括：提供一基板；在所述基板上制备第一金属层、公共电极层和金属端子；在所述基板上依次制备半导体通道层和绝缘层；在所述绝缘层中蚀刻出第一接触孔，所述第一接触孔用于暴露所述金属端子；在所述绝缘层上制备第二金属层、像素电极层和引线电极层，所述引线电极层通过所述接触孔与所述金属端子相导通。本发明还提供了一种阵列基板、电子纸器件及其制造方法。本发明通过将第一金属层和公共电极层在同一道工序内制备，同时第二金属层和像素电极层在同一道工序内制备，提高了阵列基板的生产效率，降低了生产成本，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及显示器制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板制造方法、阵列 基板、电子纸器件及其制造方法。

背景技术

随着技术水平的不断发展，TFT LCD(Thin film tranSistor Liquid crystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)凭借其重量轻、平板化、低功耗、无辐射、 显示品质优良等特点，逐渐成为一种主流的显示器。TFT(Thin film tranSistor， 薄膜晶体管)作为其中的开关器件，主要由栅极、源极、漏极构成，在将可控 制电压加入LCD中的每个像素上时，就能对其起到一个选择性驱动的作用， 从而构成了TFT LCD。

现有的TFT阵列基板通常需要5道工序实现，每一工序表示一次制图形的 闭环生产，即“清洗、沉积、涂布、曝光、显像、蚀刻和去胶”一个制图形循 环，由于完整的生产出阵列基板需要五个制图循环，使得阵列基板的制造过程 牵涉的设备多、工序多、流程长、时间久，不仅导致生产效率较低且产品成本 较高，且也增加了生产过程中需要管控的因素，进而导致产品良率较低。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板制造方法、阵列基板、电子纸器件及其制造方 法，目的在于提高阵列基板的生产效率，降低生产成本，提高产品良率。

本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上制备第一金属层、公共电极层和金属端子，所述第一金属层 包括源极、漏极和资料线，所述金属端子包括第一金属端子和第二金属端子， 所述第一金属端子与所述资料线相导通，所述第二金属端子与所述公共电极层 相导通；

在所述基板上依次制备半导体通道层和绝缘层，所述半导体通道层位于所 述第一金属层上方，所述绝缘层覆盖所述第一金属层、所述半导体通道层、所 述公共电极层和所述金属端子；

在所述绝缘层中蚀刻出第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，所述第一 接触孔用于暴露所述第一金属端子，所述第二接触孔用于暴露所述第二金属端 子，所述第三接触孔用于暴露所述漏极；

在所述绝缘层上方同时制备第二金属层、像素电极层和引线电极层，所述 第二金属层包括栅极和扫描线，多条所述扫描线和多条所述资料线交叉设置以 形成多个像素区域，所述像素电极层包括多个分别位于所述像素区域中的像素 电极，所述引线电极层包括第一引线电极和第二引线电极，所述第一引线电极 通过所述第一接触孔与所述第一金属端子相导通，所述第二引线电极通过所述 第二接触孔与所述第二金属端子相导通，所述像素电极通过所述第三接触孔与 相应的所述漏极相导通。

在其中一些实施例中，所述半导体通道层的材质采用a-Si、微晶硅、多晶 硅或IGZO中的一种。

在其中一些实施例中，在所述绝缘层上方同时制备第二金属层、像素电极 层和引线电极层后，在所述阵列基板的表面制作围堰矩阵，所述围堰矩阵覆盖 所述第二金属层和所述引线电极层所在的区域并将所述像素电极层所在的区域 裸露。

本申请第二方面的实施例提供了一种阵列基板，包括：

基板；