[发明专利]一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物

说明书

本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物，按质量百分数之和为100%计，包括0.1‑5%的特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂，5‑20%无机强碱性物质，0.5‑20%有机助剂，0.1‑5%螯合剂，余量为高纯水。本发明通过特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂与无机强碱混配，可以快速并有效去除蒸镀工艺中掩膜版及蒸镀设备坩埚上附着的LiF电极材料，大大提高了锂盐的溶解度，解决了市面上产品存在的沉淀问题，且易清洗无残留。

技术领域

本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于OLED领域的化学品制剂，用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料的清洗。

背景技术

在OLED显示器制造工艺中比较成熟的是OLED蒸镀技术。蒸镀技术需要精密的蒸镀设备，以及用于蒸镀的精细金属掩膜版（FMM）。FMM决定了OLED显示屏幕像素高低和尺寸大小，其通常由30-50微米厚的invar合金刻蚀出图案后绑定到金属掩膜版框架上。坩埚具有纯度高、加热一致性好、优异的热导率和抗热震性等性能，且其化学惰性强，在高温下不易发生化学反应，因此广泛应用于OLED蒸镀设备中。在重复的蒸镀过程中，阴极材料氟化锂会在FMM和坩埚上沉积，造成堵塞与污染，严重影响后续蒸镀的效果。在生产时，坩埚和FMM都需要定期进行清洗，来确保其后续效能。

传统的坩埚和FMM上电极材料的清洗主要采用酸洗，其不仅具有很强的腐蚀性，而且产生的废酸难以处理，污染环境，造成了OLED显示器制备成本的提高。专利申请公布号CN112718692 A公开了一种OLED坩埚部品LiF结晶物的清洗方法，其中按1-3:1-3的体积比将电子级的浓硝酸和电子级的浓盐酸混合后得到混合药水，放入超声波槽体中对坩埚部件进行超声波处理而达到清洗LiF的效果。专利CN 11501085 A公开了真空蒸镀设备中Mask的清洗方法，其是以硝酸溶液为电解液，以待清洗Mask作为阳极，通过与电源负极连接使Mask表面的金属膜溶解于硝酸电解液而达到清洗效果。采用酸洗的方式，对设备的腐蚀性强，产生的废酸污染环境，废液处理成本高。目前市面上有采用碱洗的方式，专利申请公布号CN112676243 A公开了一种OLED掩膜版Open Mask表面LiF材料清洗方法，其中按1:1-3:2-4的体积比将电子级氨水、电子级双氧水和10MΩ以上的纯水混合得到混合药水，放入超声槽中进行超声波处理而达到清洗LiF的效果。目前市面上采用碱洗的方式，往往都存在清洗效率低，清洗效果差，对锂盐的溶解性低，清洗过程中产生大量沉淀，寿命低等问题。本发明在清洗剂中添加了一种特定的乙二醇基Gemini型两性表面活性剂，临界胶束浓度低，降低的表面活性剂的用量，大大提高了清洗剂对锂盐的溶解度，同时解决了清洗过程中产生沉淀的问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供了一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物，通过添加特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂，可以快速并有效去除蒸镀工艺中掩膜版及蒸镀设备坩埚上附着的LiF电极材料，大大提高了清洗剂对锂盐的溶解度，同时解决了清洗过程中产生沉淀的问题，可有效提高清洗效率。

为解决上述问题，本发明采用以下技术方案来实现。

一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物，按质量百分数之和为100%计，所述组合物中各组分及其含量为：0.1-5%的特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂，5-20%无机强碱性物质，0.5-20%有机助剂，0.1-5%螯合剂，余量为高纯水。

所述的特定乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂选自结构为：

表面活性剂中的至少一种，其中，n为2-16之间的整数，R为C1-C5的直链饱和烷烃基团，甲基，乙基，正丙基，正丁基，正戊基中的一种。

所述的特定乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂的制备方法，包括如下步骤：