[发明专利]表面处理铜箔及铜箔基板

说明书

本发明公开了一种表面处理铜箔及铜箔基板，该表面处理铜箔包括一处理面，所述处理面的极点高度为0.4～3.0μm，且当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度与(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％。

技术领域

本发明涉及铜箔技术领域，具体涉及一种表面处理铜箔及铜箔基板。

背景技术

随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频信号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且藉由导电线路的布局设计，其可将电信号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电信号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路亦必须进一步优化，以降低因集肤效应(skin effect)而产生的信号传递损失(signal transmission loss)。所谓的集肤效应，是指随着电信号的频率增加，电流的传递路径会愈集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的信号传递损失，现有做法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。此外，为了同时维持导线表面和载板间的附着性，亦可采用反转处理铜箔(reverse treated foil,RTF)以制作导线。其中，反转处理铜箔指铜箔的辊筒面(drum side)会被施行粗化处理制程的一种铜箔。

即便上述做法可降低铜箔基板所产生的信号传递损失，但当导线表面过于平坦时，仍会造成导线和载板间的附着性降低，使得铜箔基板中的导线容易自载板的表面剥离，致使电信号无法沿着预定路径传递至预定区域。

因此，仍有必要提供一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决现有技术中所存在的不足及缺失。

发明内容

有鉴于此，本发明提供有一种改良的表面处理铜箔及铜箔基板，解决了现有技术中所存在的不足。

根据本发明的一实施例，提供一种表面处理铜箔，包括一处理面，所述处理面的极点高度为0.4～3.0μm，且当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度与(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％。

根据本发明的另一实施例，提供一种铜箔基板，包括：一载板；以及一表面处理铜箔，设置于所述载板的至少一表面；其中所述表面处理铜箔包括：一主体铜箔；以及一表面处理层，设置在所述主体铜箔和所述载板之间；其中所述表面处理层包括面向所述载板的一处理面，该处理面的极点高度为0.4～3.0μm，且该处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度与(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％。

根据上述实施例，当表面处理铜箔的处理面的极点高度(Sxp)为0.4至3.0μm，且当表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，处理面的(111)晶面的绕射峰积分强度与(111)晶面、(200)晶面及(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％时，于后续将表面处理铜箔压合至载板后，除了可以保持处理面和载板间的附着性及信赖性，亦能保持较低的信号传递损失程度，同时表面处理铜箔还具有足够的漂锡后剥离强度，可以在下游制程进行漂锡时，让表面处理铜箔形成的线路能维持在载板上不剥离，因而可以满足业界对于表面处理铜箔及铜箔基板的需求。

附图说明

为了使下文更容易被理解，在阅读本发明时可同时参考附图及其详细文字说明。通过后续具体实施例并参考相对应的附图，以详细说明本发明的具体实施例，并用以阐述本发明的具体实施例的作用原理。此外，为了清楚起见，附图中的各特征可能未按照实际的比例绘制，因此某些附图中的部分特征的尺寸可能被刻意放大或缩小。

图1是本发明一些实施例的表面处理铜箔的剖面示意图；

图2是本发明一些实施例的表面处理铜箔的极点高度(Sxp)和负载率(mr)之间的关系示意图；