[发明专利]表面处理铜箔及铜箔基板有效
| 申请号： | 202110765546.6 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115589667B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赖建铭;赖耀生;周瑞昌 | 申请（专利权）人： | 长春石油化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/09 | 分类号： | H05K1/09;H05K1/03 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 徐罗艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 处理 铜箔 | ||
1.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括一处理面，所述处理面的极点高度为0.4～3.0μm，且当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的铜(111)晶面的绕射峰积分强度与铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％，所述处理面的铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面的绕射峰积分强度均由低掠角X光绕射法而得。
2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的表面性状长宽比为0.68以下。
3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的表面性状长宽比为0.10至0.65。
4.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的铜(111)晶面的绕射峰积分强度与铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值为60％至90％。
5.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述低掠角X光绕射法的掠射角为0.5°至1.0°。
6.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：当所述表面处理铜箔在200℃的环境中加热1小时后，所述处理面的铜(220)晶面的绕射峰积分强度与铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值小于16.50％，且所述表面处理铜箔的信号传递损失的绝对值小于或等于0.85dB/in。
7.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：当所述表面处理铜箔在漂锡条件为288℃、10秒进行10次后，所述表面处理铜箔的漂锡后剥离强度高于4.0lb/in。
8.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，还包括：
一主体铜箔，以及
一表面处理层，设置于所述主体铜箔的至少一表面，其中所述表面处理层的最外侧为所述处理面。
9.如权利要求8所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述主体铜箔为电解铜箔，所述表面处理层包括一子层，该子层为粗化层。
10.如权利要求9所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理层还包括至少一其他的子层，所述至少一其他的子层选自由钝化层、防锈层及耦合层所构成的群组。
11.一种铜箔基板，其特征在于，包括：
一载板；以及
一表面处理铜箔，设置于所述载板的至少一表面；
其中所述表面处理铜箔包括：
一主体铜箔；以及
一表面处理层，设置在所述主体铜箔和所述载板之间；
其中所述表面处理层包括面向所述载板的一处理面，该处理面的极点高度为0.4～3.0μm，且该处理面的铜(111)晶面的绕射峰积分强度与铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面三者的绕射峰积分强度的总和的比值至少为60％，所述处理面的铜(111)晶面、铜(200)晶面及铜(220)晶面的绕射峰积分强度均由低掠角X光绕射法而得。
12.如权利要求11所述的铜箔基板，其特征在于：所述表面处理层的所述处理面直接接触所述载板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春石油化学股份有限公司，未经长春石油化学股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110765546.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池复合正极材料及其制备方法
- 下一篇：通信方法和通信装置
