[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110762799.8 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN115588670A | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 安珍星;成硕济;李圣俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131;H10K59/121 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置,包括:基板;第一有源图案,配置在基板上;第二有源图案,配置在第一有源图案上;第一上电极,配置在第二有源图案上,并具有岛(island)形状;以及第一信号布线,配置在第一上电极上,并与第一上电极电连接,并且具有比第一上电极的电阻小的电阻。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。更详细而言,本发明涉及一种包括信号布线的显示装置。
背景技术
一般而言,显示装置包括多个像素结构物。所述像素结构物包括晶体管、至少一个存储电容器以及发光元件。所述晶体管由多个电极以及多个布线形成,各种信号以及电压提供于所述电极以及所述布线。所述发光元件可以根据所述信号以及所述电压发光。另一方面,随着所述显示装置大型化,所述布线的长度变长,所述布线的电阻增加。其成为减少通过所述布线提供的所述信号以及所述电压的传输速度并改变电压电平而降低所述显示装置的显示质量的原因。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示质量得到提高的显示装置。
然而,本发明的目的不限定于上述目的,在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达到前述的本发明的目的,可以是,根据本发明的一实施例的显示装置包括:基板;第一有源图案,配置在所述基板上;第二有源图案,配置在所述第一有源图案上;第一上电极,配置在所述第二有源图案上,并具有岛(island)形状;以及第一信号布线,配置在所述第一上电极上,并与所述第一上电极电连接,并且具有比所述第一上电极的电阻小的电阻。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:第一下电极,配置在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间,并具有岛形状,所述第一信号布线与所述第一下电极电连接。
根据一实施例,可以是,所述第一信号布线与所述第一下电极以及所述第一上电极接触。
根据一实施例,可以是,所述第一下电极、所述第一上电极以及所述第二有源图案彼此重叠。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:第二上电极,配置在所述第二有源图案上,并具有岛形状;以及第二信号布线,配置在所述第二上电极上,并与所述第二上电极电连接。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:第二下电极,配置在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间,并具有岛形状,所述第二信号布线与所述第二下电极电连接。
根据一实施例,可以是,所述第二信号布线与所述第二下电极以及所述第二上电极接触。
根据一实施例,可以是,所述第二下电极、所述第二上电极以及所述第二有源图案彼此重叠。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:第一栅极电极,配置在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间,并具有岛形状;以及第三信号布线,配置在所述第一栅极电极上,并与所述第一栅极电极电连接。
根据一实施例,可以是,所述第三信号布线与所述第一栅极电极接触,所述第一有源图案、所述第一栅极电极以及所述第三信号布线彼此重叠。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:第二栅极电极,配置在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间,并具有岛形状;以及第四信号布线,配置在所述第二栅极电极上,并与所述第二栅极电极电连接。
根据一实施例,可以是,所述第四信号布线与所述第二栅极电极接触,所述第一有源图案、所述第二栅极电极以及所述第四信号布线彼此重叠。
根据一实施例,可以是,所述第一信号布线与所述第一上电极接触。
根据一实施例,可以是,所述第一上电极与所述第一下电极接触。
根据一实施例,可以是,所述第一信号布线与所述第一下电极接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的