[发明专利]光刻机及其掩膜安装板的调平结构和调平方法

说明书

本发明涉及光刻机技术领域，它涉及一种光刻机及其掩膜安装板的调平结构和调平方法，其中，掩膜安装板用于安装掩膜板，掩膜板周向上分布有四个基准区域A、B、C和D，掩膜安装板周向上分布有三个调节区域M1、M2和M3，调节区域M2与基准区域D对应，调节区域M3与基准区域C对应；上述的调平方法包括以下步骤：分别测量四个基准区域A、B、C和D各自与晶圆支撑板之间的距离LA、LB、LC和LD；以LA、LB、LC和LD中的最大值或最小值作为基准距离，对三个调节区域M1、M2和M3的位置分别进行调节，使LA、LB、LC和LD与基准距离一致。根据本发明的方案，其可以保证掩模板与晶圆支撑板上的晶圆平行。

技术领域

本发明涉及光刻机技术领域，特别涉及一种光刻机及其掩膜安装板的调平结构和调平方法。

背景技术

光刻是半导体制造过程中一道非常重要的工序，它是将一系列掩模板上的芯片图形通过曝光依次转移到硅片相应层上的工艺过程，被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤。半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要由相应的光刻机来完成。

现有的光刻机包括掩膜安装板以及用于承载晶圆的晶圆支撑板，为了提高加工精度，一般要求掩模板与晶圆平行，故如何保证掩模板与晶圆平行成了本领域急需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种光刻机及其掩膜安装板的调平结构和调平方法，主要所要解决的技术问题是：如何保证掩模板与晶圆支撑板上的晶圆平行。

为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种光刻机掩膜安装板的调平方法，掩膜安装板用于安装掩膜板，掩膜板周向上分布有四个基准区域A、B、C和D，掩膜安装板周向上分布有三个调节区域M1、M2和M3，其中，调节区域M1位于两个基准区域A和B之间，调节区域M2与基准区域D对应，调节区域M3与基准区域C对应；所述调平方法包括以下步骤：

步骤S1：分别测量四个基准区域A、B、C和D各自与晶圆支撑板之间的距离LA、LB、LC和LD；

步骤S2：以LA、LB、LC和LD中的最大值或最小值作为基准距离，对三个调节区域M1、M2和M3的位置分别进行调节，使LA、LB、LC和LD与所述基准距离一致。

可选的，四个基准区域A、B、C和D为矩形的四个顶点；和/或，三个调节区域M1、M2和M3为等边三角形的三个顶点。

可选的，在步骤S2中，仅对三个调节区域M1、M2和M3中两个的位置分别进行调节，其中：

若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M2和M3的位置；

若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M1和M2的位置；

若LD为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M1和M3的位置。

可选的，若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax，则调节区域M2的上升高度为Lmax-LD，调节区域M3的上升高度为Lmax-LC；若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最小值Lmin，则调节区域M2的下降高度为LD-Lmin，调节区域M3的下降高度为LC-Lmin；

若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax，则调节区域M1的上升高度为（（Lmax-LA）+（Lmax-LB））/2，调节区域M2的上升高度为Lmax-LD；若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最小值Lmin，则调节区域M1的下降高度为（（LA-Lmin）+（LB-Lmin））/2，调节区域M2的下降高度为LD-Lmin；