[发明专利]光刻机及其掩膜安装板的调平结构和调平方法

权利要求书

1.一种光刻机掩膜安装板的调平方法，其特征在于，掩膜安装板(3)用于安装掩膜板(8)，掩膜板(8)周向上分布有四个基准区域A、B、C和D，掩膜安装板(3)周向上分布有三个调节区域M1、M2和M3，其中，调节区域M1位于两个基准区域A和B之间，调节区域M2与基准区域D对应，调节区域M3与基准区域C对应；所述调平方法包括以下步骤：

步骤S1：分别测量四个基准区域A、B、C和D各自与晶圆支撑板(2)之间的距离LA、LB、LC和LD；

步骤S2：以LA、LB、LC和LD中的最大值或最小值作为基准距离，对三个调节区域M1、M2和M3的位置分别进行调节，使LA、LB、LC和LD与所述基准距离一致。

2.根据权利要求1所述的光刻机掩膜安装板的调平方法，其特征在于，

四个基准区域A、B、C和D为矩形的四个顶点；和/或，三个调节区域M1、M2和M3为等边三角形的三个顶点。

3.根据权利要求1或2所述的光刻机掩膜安装板的调平方法，其特征在于，在步骤S2中，仅对三个调节区域M1、M2和M3中两个的位置分别进行调节，其中：

若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M2和M3的位置；

若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M1和M2的位置；

若LD为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax或Lmin，则仅调节调节区域M1和M3的位置。

4.根据权利要求3所述的光刻机掩膜安装板的调平方法，其特征在于，

若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax，则调节区域M2的上升高度为Lmax-LD，调节区域M3的上升高度为Lmax-LC；若LA或LB为LA、LB、LC和LD四个中的最小值Lmin，则调节区域M2的下降高度为LD-Lmin，调节区域M3的下降高度为LC-Lmin；

若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax，则调节区域M1的上升高度为（（Lmax-LA）+（Lmax-LB））/2，调节区域M2的上升高度为Lmax-LD；若LC为LA、LB、LC和LD四个中的最小值Lmin，则调节区域M1的下降高度为（（LA-Lmin）+（LB-Lmin））/2，调节区域M2的下降高度为LD-Lmin；

若LD为LA、LB、LC和LD四个中的最大值Lmax，则调节区域M1的上升高度为（（Lmax-LA）+（Lmax-LB））/2，调节区域M3的上升高度为Lmax-LC；若LD为LA、LB、LC和LD四个中的最小值Lmin，则调节区域M1的下降高度为（（LA-Lmin）+（LB-Lmin））/2，调节区域M3的下降高度为LC-Lmin。

5.一种光刻机掩膜安装板的调平结构，其特征在于，包括用于安装掩膜安装板(3)的模板(1)、用于承载晶圆(9)的晶圆支撑板(2)、传感器(7)、控制器和驱动机构(4)；

所述掩膜安装板(3)为浮动板；

所述传感器(7)的数量为四个、且与掩膜板(8)周向上分布的四个基准区域A、B、C和D一一对应，各传感器(7)用于分别测量掩膜板(8)上相应基准区域与晶圆支撑板(2)之间的距离LA、LB、LC和LD；

所述驱动机构(4)的数量为三个、且与掩膜安装板(3)周向上分布的三个调节区域M1、M2和M3一一对应，其中，调节区域M1位于两个基准区域A和B之间，调节区域M2与基准区域D对应，调节区域M3与基准区域C对应；

所述控制器用于以LA、LB、LC和LD中的最大值或最小值作为基准距离，对各驱动机构(4)进行控制，使各驱动机构(4)分别驱动相应的调节区域升降，使LA、LB、LC和LD与所述基准距离一致。

6.根据权利要求5所述的光刻机掩膜安装板的调平结构，其特征在于，还包括限位结构(6)，所述限位结构(6)用于对掩膜安装板(3)的浮动高度进行限位。