[发明专利]电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法有效
申请号: | 202110762203.4 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113917741B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 伊藤智 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
提供电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法,能够提高显示品质。液晶装置在第一基材上具有像素(P)和配置于像素(P)与像素(P)之间的遮光区域的电容元件(16),电容元件(16)具有:第一电容布线(16a),其沿着遮光区域配置;电介质层(16c),其覆盖第一电容布线(16a)的至少连续的3个面(O面、P面、Q面);以及第二电容布线(16b),其隔着第一电容布线(16a)和电介质层(16c)与第一电容布线(16a)的至少连续的3个面对置。
技术领域
本发明涉及电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法。
背景技术
作为电光装置,已知有在像素处具备开关元件的有源驱动型的液晶装置。这样的液晶装置例如被用作作为电子设备的投影仪的光阀。
在液晶装置中,为了保持像素电位,设置有在一对电容布线之间夹持有电介质膜的构造的电容元件。电容元件配置在俯视时相邻的像素间的遮光区域。例如,专利文献1中公开了如下技术:为了使遮光区域变窄,并且增加电容量,在沟槽中配置电容元件。
专利文献1:日本特开2006-64967号公报
然而,根据专利文献1的技术,存在产生在沟槽内成膜的膜的覆盖率(coverage)不良的问题。由此,存在像素间距的窄间距化变得困难、即难以微细化的课题。
发明内容
电光装置在基板上具有像素以及电容元件,该电容元件配置于所述像素和与所述像素相邻的像素之间的遮光区域,所述电容元件具有:第一电容电极,其沿着所述遮光区域配置;电容绝缘层,其覆盖所述第一电容电极的至少连续的3个面;以及第二电容电极,其隔着所述电容绝缘层与所述第一电容电极的所述3个面对置。
电子设备具备上述记载的电光装置。
电光装置的制造方法具有以下工序:在基板上形成第一布线;在所述基板和所述第一布线上依次形成层间绝缘层、阻止层和牺牲层;以到达所述第一布线的方式,在所述牺牲层、所述阻止层和所述层间绝缘层形成凹部;在所述凹部的侧壁形成间隔件;在包含所述间隔件的所述凹部中形成插头状的第一电容电极;利用所述阻止层去除所述牺牲层及所述间隔件的一部分,使所述第一电容电极的一部分露出;以覆盖露出的所述第一电容电极的至少连续的3个面的方式依次成膜电容绝缘层和第二电容电极;以及以成为与所述第一布线的宽度大致相同的宽度的方式,去除所述第二电容电极、所述电容绝缘层以及所述阻止层,而形成电容元件。
附图说明
图1是表示本实施方式的液晶装置的结构的俯视图。
图2是沿着图1所示的液晶装置的H-H’线的剖视图。
图3是表示液晶装置的电结构的等效电路图。
图4是表示像素的结构的俯视图。
图5是表示液晶装置的结构的剖视图。
图6是表示电容元件的结构的俯视图。
图7是在沿着图6所示的电容元件的B-B’线的剖面中放大了电容元件16的一部分的立体图。
图8是表示电容元件的制造方法的流程图。
图9是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图10是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图11是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图12是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图13是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
图14是表示与电容元件的制造方法的工艺对应的剖面的立体图。
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