[发明专利]电子级氢氟酸的连续化制备系统及方法

权利要求书

1.一种电子级氢氟酸的连续化制备系统，其特征在于，包括：

超重力反应器，用于通入氧化剂和工业级氟化氢液体；所述氧化剂包括：亚氟和氟气；

至少一个处理单元，用于通入所述超重力反应器出口导出的反应物，得到产品混合物，每个处理单元包括一冷凝器和一再沸器；

精馏装置，用于导入所述产品混合物中的其中一股，得到氟化氢气体；其中所述产品混合物的其中另一股导入所述超重力反应器；

吸收装置，采用高纯水吸收所述氟化氢气体，得到所述电子级氟化氢。

2.根据权利要求1所述的连续化制备系统，其特征在于，所述处理单元包括多个，每个处理单元串联设置。

3.根据权利要求1所述的连续化制备系统，其特征在于，所述精馏装置为间壁塔，所述间壁塔的中部包括氟化氢气体出口。

4.根据权利要求3所述的连续化制备系统，其特征在于，所述间壁塔的所述氟化氢气体出口处设有微滤膜，所述微滤膜的孔径为微米级；和/或所述氟化氢气体出口处设有除沫装置。

5.一种电子级氢氟酸的连续化制备方法，其特征在于，包括：

将氧化剂和工业级氟化氢液体通入一超重力反应器；所述氧化剂包括：亚氟和氟气；

将所述超重力反应器出口导出的反应物通入至少一个处理单元，得到产品混合物，每个处理单元包括一冷凝器和一再沸器；

将所述产品混合物分成两股，并将其中一股导入所述超重力反应器，另一股导入精馏塔内进行精馏纯化，得到氟化氢气体；

采用高纯水吸收所述氟化氢气体，得到所述电子级氟化氢。

6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成基板；

在基板上通过电子级氟化氢蚀刻形成功能层；其中，所述电子级氟化氢的制备过程包括：

将氧化剂和工业级氟化氢液体通入一超重力反应器；所述氧化剂包括：亚氟和氟气；

将所述超重力反应器出口导出的反应物通入至少一个处理单元，得到产品混合物，每个处理单元包括一冷凝器和一再沸器；

将所述产品混合物分成两股，并将其中一股导入所述超重力反应器，另一股导入精馏塔内进行精馏纯化，得到氟化氢气体；

采用高纯水吸收所述氟化氢气体，得到所述电子级氟化氢。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基板；以及

在所述基板之上的功能层，所述功能层通过电子级氟化氢蚀刻形成；其中，所述电子级氟化氢的制备过程包括：

将氧化剂和工业级氟化氢液体通入一超重力反应器；所述氧化剂包括：亚氟和氟气；

将所述超重力反应器出口导出的反应物通入至少一个处理单元，得到产品混合物，每个处理单元包括一冷凝器和一再沸器；

将所述产品混合物分成两股，并将其中一股导入所述超重力反应器，另一股导入精馏塔内进行精馏纯化，得到氟化氢气体；

采用高纯水吸收所述氟化氢气体，得到所述电子级氟化氢。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：多个半导体器件，至少一个所述半导体器件包括：基板；以及

在所述基板之上的功能层，所述功能层通过电子级氟化氢蚀刻形成；其中，所述电子级氟化氢的制备过程包括：

将氧化剂和工业级氟化氢液体通入一超重力反应器；所述氧化剂包括：亚氟和氟气；

将所述超重力反应器出口导出的反应物通入至少一个处理单元，得到产品混合物，每个处理单元包括一冷凝器和一再沸器；

将所述产品混合物分成两股，并将其中一股导入所述超重力反应器，另一股导入精馏塔内进行精馏纯化，得到氟化氢气体；

采用高纯水吸收所述氟化氢气体，得到所述电子级氟化氢。