[发明专利]一种三路Doherty射频功率放大器在审

专利信息
申请号: 202110754515.0 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN115567004A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 杨梦苏 申请(专利权)人: 苏州华太电子技术股份有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/32;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发;王锋
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 doherty 射频 功率放大器
【权利要求书】:

1.一种三路Doherty射频功率放大器,其特征在于包括:功率分配器、主放大器、效率峰值放大器、线性峰值放大器、移相网络以及相应的输出匹配网路;待放大的输入信号经所述功率分配器分别输入到主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器中,并最终流向负载阻抗;所述主放大器的输入端与功率分配器的第一输出端电连接,所述效率峰值放大器的输入端与功率分配器的第二输出端经第一移相网络电连接,所述线性峰值放大器的输入端与功率分配器的第三输出端经第二移相网络电连接;所述输出匹配网络包括视频带宽增强网络和合路阻抗匹配网络;其中,

所述合路阻抗匹配网络包括第一π型CLC网络和第二π型CLC网络,所述主放大器的输出端与效率峰值放大器的输出端通过第一π型CLC网络连接,所述效率峰值放大器的输出端与线性峰值放大器的输出端通过第二π型CLC网络连接;

所述视频带宽增强网络包括在主放大器输出端与地之间依次串接的第一电感和第一电容,所述第一电感与主放大器的输出电容形成一谐振网络,所述谐振网络至少用于补偿所述合路阻抗匹配网络中相应的匹配电容。

2.根据权利要求1所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述第一π型CLC网络包括第一电感、第一电容、第二电感、主放大器的输出电容、效率峰值放大器的输出电容和第二电容的一部分,所述第二π型CLC网络包括效率峰值放大器的输出电容、第二电容的另一部分、第三电感、线性峰值放大器的输出电容和第三电容;其中,

所述第二电感连接在主放大器的输出端与效率峰值放大器的输出端之间,所述第三电感连接在效率峰值放大器的输出端与线性峰值放大器的输出端之间,所述主放大器的输出电容、效率峰值放大器的输出电容并联在第二电感两侧,所述效率峰值放大器的输出电容、线性峰值放大器的输出电容并联在第三电感两侧,所述第二电容和第三电容并联在第三电感两侧。

3.根据权利要求2所述三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述第一π型CLC网络的匹配电容小于主放大器的输出电容,且所述谐振网络用于补偿主放大器的输出电容与第一π型CLC网络的匹配电容的差值。

4.根据权利要求1所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器均包括LDMOS或GaN晶体管。

5.根据权利要求4所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述第一电感和第一电容依次串接在主放大器晶体管的漏极与地之间。

6.根据权利要求2所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述第二电感和第三电感均包括相应键合线的等效电感和相应表贴电感元件的等效电感。

7.根据权利要求1所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器晶体管的漏极馈电流通过双偏置网络提供,所述双偏置网络包括第一四分之一波长微带线和第二四分之一波长微带线,所述第一四分之一波长微带线与第二四分之一波长微带线并联设置;其中,

所述第一四分之一波长微带线的一端与电源电压电连接,并经第一去耦电容接地,另一端与所述第二四分之一波长微带线的一端电连接,第二四分之一波长微带线的另一端经第二去耦电容接地。

8.根据权利要求7所述的三路Doherty射频功率放大器,其特征在于:所述第一四分之一波长微带线和第二四分之一波长微带线之间的节点经第一LC网络与所述主放大器晶体管、效率峰值放大器晶体管和线性峰值放大器晶体管的漏极直接或间接地电连接,同时经第二LC网络与负载阻抗电连接。

9.一种电子器件,其特征在于包括权利要求1-8中任一项所述的三路Doherty射频功率放大器,其中功率分配器、主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器集成设置为单片微波集成电路,所述单片微波集成电路封装在QFN封装外壳内,所述QFN封装外壳设置在印刷电路板上,并与所述印刷电路板上的相应元件相配合。

10.一种电子器件,其特征在于包括权利要求1-8中任一项所述的三路Doherty射频功率放大器,其中功率分配器、主放大器、效率峰值放大器和线性峰值放大器集成设置为单片微波集成电路,所述单片微波集成电路设置在LGA基板上,并与相应的表贴元件相配合。

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