[发明专利]一种实现基于杂化铅基钙钛矿纳米片制备TEM样品的方法有效
| 申请号: | 202110749187.5 | 申请日: | 2021-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN113484341B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
| 发明(设计)人: | 王琳;仲净贤;朱超;何凯悦 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
| 主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04;G01N1/28 |
| 代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 吴频梅 |
| 地址: | 211816 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 实现 基于 杂化铅基钙钛矿 纳米 制备 tem 样品 方法 | ||
1.一种实现基于铅基钙钛矿纳米片制备TEM样品的方法,其特征在于:
将16mg PbI2颗粒与10ml去离子水混合,并于92 ℃加热台上进行搅拌6 h,搅匀的PbI2溶液于20℃环境下放置30小时,待其析出晶体后,提取至胶带上并进行机械剥离,再直接以5 * 5 mm大小的PDMS膜与已Plasma清洗100 s的载玻片组成的窗口轻按胶带,并迅速提起,得到基于载玻片窗口的PDMS -PbI2纳米片,再清洗10s;将基于载玻片窗口的PDMS -PbI2纳米片倒置于转移平台上方,并使用0.5 mm高温胶带将超薄碳支持膜边缘贴至7*7mm的硅片上,将硅片在转移平台下方固定住,窗口与碳膜贴合后,设置加热温度为60℃,升温时间2min,并在60℃下保持1min,而后缓慢抬起,得到基于硅片衬底-超薄碳支持膜的薄层PbI2纳米片;将基于硅片衬底-超薄碳支持膜的薄层PbI2纳米片置于管式炉下游生长区,将卤化物前驱体MAI置于管式炉上游蒸发区,对管式炉抽真空,使其达到<104 Pa的真空氛围;以50sccm的流速向管式炉中通入氩氢混合气Ar 90%/H2 10%;将蒸发区加热至125 ℃保持100分钟,生长区加热至90 ℃保持200分钟,使气相的MAI前驱体与PbI2纳米片充分反应,得到超薄碳支持膜基MAPbI3钙钛矿纳米片,可进一步进行TEM结构表征。
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