[发明专利]一种光电探测器的调节方法及其应用

权利要求书

1.一种光电探测器的调节方法，所述光电探测器包括：源极、漏极、栅极及沟道层，所述沟道层位于所述栅极上方，所述源极及所述漏极分别位于所述沟道层两侧；其中，

在所述源极与所述漏极间施加初始电压V_ds，栅极施加初始电压V₀，以使所述光电探测器在第一预设时长内处于耗尽状态；

在所述源极与所述漏极间设置正反馈电路，用于检测源漏极两端的电流I_ds的变化；所述正反馈电路包括放大器及反馈电路，所述放大器用于放大所述电流I_ds的变化趋势，所述反馈电路用于判断所述电流I_ds的变化趋势，并根据所述电流I_ds的变化趋势将相应的正栅压差电脉冲V_g或负栅压差电脉冲V_g’施加至所述栅极上；

将所述光电探测器光照第二预设时长，以使所述正反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变大趋势后将正栅压差电脉冲V_g施加至所述栅极上，提升所述光电探测器的响应度；所述将所述光电探测器光照第二预设时长，以使所述正反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变大趋势后将正栅压差电脉冲V_g施加至所述栅极上，包括：将所述光电探测器进行光照第二预设时长，则所述电流I_ds随着光照变大，所述放大器将所述电流I_ds的变大趋势放大，以使所述反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变大趋势后将正栅压差电脉冲V_g施加至所述栅极上；

在所述第二预设时长后撤销光照，所述正反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变小趋势后将负栅压差电脉冲V_g’施加至所述栅极上，以使所述光电探测器在第三预设时长内恢复至初始态，提升所述光电探测器的恢复速度；所述在所述第二预设时长后撤销光照，所述正反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变小趋势后将负栅压差电脉冲V_g’施加至所述栅极上，以使所述光电探测器在第三预设时长内恢复至初始态，包括：所述在所述第二预设时长后撤销光照，则所述电流I_ds随着光照撤销后变小，所述放大器将所述电流I_ds的变小趋势放大，则反馈电路根据检测到的所述电流I_ds变小趋势后将负栅压差电脉冲V_g’施加至所述栅极上，以使所述光电探测器在第三预设时长内恢复至初始态。

2.根据权利要求1所述的光电探测器的调节方法，其中，当所述光电探测器的沟道材料为N型半导体材料时，所述正栅压差电脉冲V_g大于所述初始电压V₀，所述负栅压差电脉冲V_g’小于所述初始电压V₀；当所述光电探测器的沟道材料为P型半导体材料时，所述正栅压差电脉冲V_g小于所述初始电压V₀，所述负栅压差电脉冲V_g’大于所述初始电压V₀。

3.根据权利要求1所述的光电探测器的调节方法，其中，所述第三预设时长小于所述光电探测器的本征恢复时间。

4.根据权利要求1所述的光电探测器的调节方法，其中，所述第一预设时长、所述第二预设时长及所述第三预设时长之和为所述光电探测器的探测周期。

5.根据权利要求1所述的光电探测器的调节方法，其中，所述将所述光电探测器光照第二预设时长，包括：

采用紫外光或可见光将所述光电探测器光照第二预设时长。

6.根据权利要求1所述的光电探测器的调节方法，其中，所述光电探测器还包括：绝缘电介质层，其位于所述沟道层与所述栅极间。

7.一种如权利要求1至6中任意一项所述的光电探测器的调节方法在太赫兹或红外光或可见光或紫外或X射线晶体管结构探测器上的应用。