[发明专利]一种高镍多晶四元前驱体的制备方法有效
申请号: | 202110742622.1 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113582246B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | 李加闯;朱用;褚风辉;李佰康;王梁梁;贺建军 | 申请(专利权)人: | 南通金通储能动力新材料有限公司 |
主分类号: | C01G53/00 | 分类号: | C01G53/00;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;陈昊宇 |
地址: | 226010 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 前驱 制备 方法 | ||
一种高镍多晶四元前驱体的制备方法,包括:一、配制Ni、Co、Mn以及三草酸根合钴(Ⅲ)酸钾混合溶液,Ni、Co、Mn的总摩尔浓度为1.7~2.5mol/L,三草酸根合钴(Ⅲ)酸钾与Co的摩尔比为2.0~4.0;配制质量分数为20~40%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液作为沉淀剂;配制络合剂、偏铝酸钠及氢氧化钠或氢氧化钾的混合液,络合剂浓度为0.5~2.5mol/L,偏铝酸钠浓度为0.02~0.08mol/L,混合液的pH为11.95~12.15;二、保持合成釜搅拌开启,将步骤一中的混合溶液、沉淀剂及混合液分别以50~200mL/min的流速持续加入到合成釜中进行共沉淀反应;三、将步骤二中的共沉淀产物经过压滤、洗涤、干燥得到高镍多晶四元前驱体。本发明可提高正极材料的结晶性,改善其循环性能和倍率性能。
技术领域
本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域,具体涉及一种高镍多晶四元前驱体的制备方法。
背景技术
新能源汽车的爆发式发展带动了锂离子电池的爆发式增长,而锂离子电池正极材料作为锂离子电池核心材料之一,其占锂离子电池生产成本的30~40%,同时其能量密度的高低与新能源汽车的续航里程息息相关。高镍多晶四元正极材料具有比容量高、污染小、价格适中、与电解液匹配好等优点,被认为是一种非常有发展前景的锂离子电池正极材料。
高镍多晶四元正极材料的开发难度较大,主要是因为该材料在制备过程中需要持续通氧气将Ni、Co、Mn分别氧化,其中2价镍离子氧化难度最大。在煅烧过程中,氧气与高镍多晶四元前驱体的接触面积有限,有部分Ni2+未被氧化,进而产生Li+/Ni2+混排(Li+与Ni2+离子半径接近),从而导致容量衰减。此外,高镍多晶四元正极材料在充放电的过程中容易产生较大的内部应力,引起材料的一次粒子粉碎溶解,导致循环性能与倍率性能变差。另外,高镍多晶四元正极材料多为二次颗粒,在充放电过程中锂离子传输路径较长,降低了锂离子的传输效率,影响倍率性能。
因此,制备出内部疏松多孔、且一次粒子沿着径向生长的高镍多晶四元前驱体是制备高性能高镍多晶四元正极材料的关键。
发明内容
本发明的目的是提供一种高镍多晶四元前驱体的制备方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种高镍多晶四元前驱体的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、配制Ni、Co、Mn以及三草酸根合钴(Ⅲ)酸钾混合溶液,其中Ni、Co、Mn的总摩尔浓度为1.7~2.5mol/L,所述三草酸根合钴(Ⅲ)酸钾与所述混合溶液中Co的摩尔比值为2.0~4.0;
配制质量分数为20~40%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液作为沉淀剂;配制络合剂、偏铝酸钠以及氢氧化钠或氢氧化钾的混合液,其中所述络合剂的浓度为0.5~2.5mol/L,所述偏铝酸钠浓度为0.02~0.08mol/L,通过所述氢氧化钠或氢氧化钾调节混合液的pH为11.95~12.15;
步骤二、保持合成釜搅拌开启,将步骤一中的所述混合溶液、所述沉淀剂以及所述混合液分别以50~200mL/min的流速持续加入到合成釜中进行共沉淀反应;
步骤三、将步骤二中的共沉淀产物经过压滤、洗涤、干燥得到高镍多晶四元前驱体。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1、上述方案中,在所述步骤一中,所述混合溶液的pH范围为2.4~4.4。
2、上述方案中,在所述步骤一中,络合剂中为二乙胺五乙酸钠、N-羟乙基乙二胺三乙酸钠、环己烷二胺四乙酸钠中的一种或者多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通金通储能动力新材料有限公司,未经南通金通储能动力新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110742622.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蓝牙设备OTA升级的方法及系统
- 下一篇:一种制备高镍四元前驱体的方法