[发明专利]MIS电容器及制造MIS电容器的方法

权利要求书

1.一种金属绝缘体半导体“MIS”电容器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括：

具有第一导电类型的第一部分；

多个接触区，所述多个接触区位于所述第一部分中以用于将所述第一部分耦合到输出节点；

电介质，所述电介质位于所述第一部分的表面上；

多个电极，所述多个电极通过所述电介质与所述第一部分分开；

具有第二导电类型的第二部分；以及

具有所述第一导电类型的第三部分，其中所述第三部分能耦合到电源电压，其中所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间，其中所述第一部分和所述第二部分形成第一p-n结，并且其中所述第二部分和所述第三部分形成第二p-n结；

参考触点，所述参考触点用于将所述第二部分耦合到参考电压；以及

另外的接触区，所述另外的接触区用于将所述第二部分耦合到所述输出节点。

2.根据权利要求1所述的MIS电容器，其特征在于，所述衬底内的所述第一p-n结的定向与所述衬底内的所述第二p-n结的定向相反。

3.根据在前的任一项权利要求所述的MIS电容器，其特征在于，另外包括具有所述第二导电类型的第一阱区，其中所述第一阱区位于所述参考触点与所述第二部分之间。

4.根据在前的任一项权利要求所述的MIS电容器，其特征在于，另外包括具有所述第二导电类型的第二阱区，其中所述第二阱区位于所述另外的接触区与所述第二部分之间。

5.一种放大器电路，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的MIS电容器。

6.根据权利要求5所述的放大器电路，其特征在于，包括：

第一放大器级；以及

第二放大器级，所述第二放大器级具有耦合到所述第一放大器级的输出的输入，其中所述MIS电容器与所述第二放大器级并联耦合。

7.根据权利要求6所述的放大器电路，其特征在于，所述第一放大器级包括差分放大器，所述差分放大器包括：

第一输入，所述第一输入耦合到参考电压；以及

第二输入，所述第二输入被耦合成经由反馈网络接收所述第二放大器级的输出。

8.根据权利要求6或权利要求7所述的放大器电路，其特征在于，所述MIS电容器的输出节点耦合到所述第二放大器级的所述输入且耦合到所述第一放大器级的所述输出。

9.一种集成电路，其特征在于，包括根据权利要求1至4中任一项所述的MIS电容器或根据权利要求5至8中任一项所述的放大器电路。

10.一种制造金属绝缘体半导体“MIS”电容器的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成半导体衬底，所述半导体衬底包括：

具有第一导电类型的第一部分；

具有第二导电类型的第二部分；以及

具有所述第一导电类型的第三部分，其中所述第三部分能耦合到电源电压，其中所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间，其中所述第一部分和所述第二部分形成第一p-n结，并且其中所述第二部分和所述第三部分形成第二p-n结；

在所述第一部分中形成多个接触区以用于将所述第一部分耦合到输出节点；

在所述第一部分的表面上形成电介质；

在所述电介质上形成多个电极，其中所述多个电极通过所述电介质与所述第一部分分开；

形成参考触点以用于将所述第二部分耦合到参考电压；以及

形成另外的接触区以用于将所述第二部分耦合到所述输出节点。