[发明专利]一种具有BRAM的卫星载荷FPGA及其使用方法有效

专利信息
申请号: 202110739414.6 申请日: 2021-07-01
公开(公告)号: CN113254252B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 孙鹏跃;黄仰博;刘旭辉;毛二坤;楼生强;张书政;周欢;唐小妹 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F1/24
代理公司: 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 代理人: 刘光德
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 bram 卫星 载荷 fpga 及其 使用方法
【说明书】:

发明提供一种具有BRAM的卫星载荷FPGA及其使用方法,所述卫星载荷FPGA包括:内部算法模块、三模表决模块、BRAM及自刷新模块,所述内部算法模块,其输入为通过三模表决模块后正确的输出数据,用于对所述卫星载荷FPGA配置项的处理;所述三模表决模块,获取三模BRAM输出的数据,进行三模冗余表决;所述BRAM及自刷新模块,用于存储在轨参数及控制所述在轨参数的自刷新。根据本发明的卫星载荷FPGA,不需要外部处理器干预即可完成BRAM的自刷新功能,能够解决传统BRAM抗辐照加固方法耗费资源多、处理器访问冲突风险等问题。解决了BRAM由于单粒子翻转的累积导致卫星载荷FPGA数据出错的问题。

技术领域

本发明涉及FPGA空间可靠性领域,尤其涉及一种具有BRAM的卫星载荷FPGA及其使用方法。

背景技术

SRAM型FPGA中含有丰富的BRAM存储资源,是星载FPGA配置项中最常用的IP核,广泛应用于数据缓存和参数存储等,可以实现单口存储器、双口存储器以及FIFO等功能。BRAM是星载FPGA用户逻辑中单粒子发生概率最高的,占2.9%。但由于BRAM中存储的数据一直处于动态应用中,难以实现类似配置数据的定时刷新设计,因此,BRAM中累积的单粒子翻转难以消除。

SRAM型FPGA的空间单粒子效应主要可以分为三类:配置存储器翻转,用户逻辑翻转以及控制单元翻转。配置存储器翻转占所有空间单粒子翻转事件的90%以上,对载荷配置项的影响极大,是载荷抗辐照设计的重点,并形成了一系列抗辐照设计方法。而对于用户逻辑部分而言,其发生单粒子翻转的概率较高,且该部分与用户设计密切相关,难以形成体系化的抗辐照加固设计方法,目前已逐渐成为空间载荷抗辐照设计的瓶颈。特别是其中的BRAM存储器,由于其存储的数据一直处于动态应用中,难以通过传统的刷新操作消除空间单粒子翻转的积累,是目前造成SRAM型FPGA空间单粒子翻转事件的主要原因之一。

对于数据缓存类BRAM而言,尽管BRAM数据为中间结果,一定时间后会被算法自动修复,但BRAM数据错误期间已经对算法后续数据流产生了影响。而对于参数存储类BRAM而言,用户要求BRAM中数据保持不变,但在空间辐照条件下,即使对参数存储BRAM进行了三模冗余,也无法解决单粒子累积造成的数据错误。因此,在星载配置项BRAM加固中,必须设计相应的单粒子累积消除方法,以保证数据的正确性。

传统的单粒子效应消除方法主要有刷新和纠错编码两类。对于刷新而言,常用架构如图1所示,可以看到,传统刷新架构主要通过外部处理器完成对BRAM中数据的刷新,该方案需要单独占用双端口BRAM的一个端口,相当于BRAM资源消耗增加1倍,且存在外部处理器刷新与内部算法访问冲突的可能性。现有技术CN112015584A,属于传统的刷新架构主要通过外部处理器完成对BRAM中数据的刷新,需要单独占用双端口BRAM的一个端口,相当于BRAM资源消耗增加了1倍,且存在外部处理器刷新与内部算法访问冲突的可能性。而基于纠错编码的方法则是对写入BRAM的数据进行编码,在读取时再对数据进行解码。例如常用的基于EDAC编码的BRAM加固方法,该方法不单独占用BRAM端口,减少了BRAM的资源浪费,但并没有从根本上纠正BRAM中数据的单粒子翻转,只是在使用BRAM数据时能够检测2bit错误并纠正1bit错误,随着时间的积累,当BRAM中数据发生多比特错误时,该纠错编码方法将失效。

基于纠错编码的方法是对写入BRAM的数据进行编码,在读取时再对数据进行解码。常用的基于EDAC编码的BRAM数据纠错架构如图2所示。纠错编码方法不单独占用BRAM端口,不会造成BRAM资源的浪费,但纠错编码方法并没有从根本上纠正BRAM中数据的单粒子翻转,只是在使用BRAM数据时能够检测2bit错误并纠正1bit错误,但随着时间的积累,当BRAM中数据发生多比特错误时,纠错编码方法将失效。

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