[发明专利]一种ZSM-5沸石及其制备方法和用途有效
| 申请号: | 202110737528.7 | 申请日: | 2021-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN113620311B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 杨世和;洪梅;董磊 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号: | C01B39/40 | 分类号: | C01B39/40;B01J29/40;B01J32/00;C07C1/20;C07C11/06 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
| 地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 zsm 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种ZSM-5沸石的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1包括以下步骤:S11:按铝源:硅源:季铵阳离子模板剂:含有活泼氢的有机小分子化合物:水摩尔比为0.1:10:3:(0~3.5):1000的比例称取原料,所述铝源选自Al2(SO4)3或仲丁醇铝,所述硅源选自硅酸钠或正硅酸乙酯,所述季铵阳离子模板剂为质量百分比浓度为10%~40%的四丙基氢氧化铵即TPAOH水溶液,所述含有活泼氢的有机小分子化合物选自苯酚、丙氨酸或赖氨酸;
S12:在连续搅拌下,向去离子水中添加铝源、季铵阳离子模板剂和含有活泼氢的有机小分子化合物,直到它们完全溶解形成溶液;
S13:边剧烈搅拌、边将硅源溶液缓慢加入步骤S12形成的溶液中,形成合成液;
S2:将所述合成液在0~30℃老化1~5天获得老化液,然后将老化液在120~170℃下晶化24~72h,晶化结束后离心水洗2~4次,然后在50~70℃下干燥过夜获得干燥物,其中,所述晶化在聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中进行,且所述聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜在旋转烘箱中加热,所述烘箱转速为10~30rpm,所述晶化温度为120~170℃;
S3:将S2获得的干燥物在500~800℃下煅烧4~8h,即得。
2.一种ZSM-5沸石,其特征在于,由权利要求1所述方法制备获得。
3.根据权利要求2所述的ZSM-5沸石,其特征在于,所述ZSM-5沸石具有椭圆形形貌,且其粒径为2~3μm,且其元素摩尔量之比硅:铝为50~150:1;且其内部介孔内径为8~20nm。
4.一种权利要求2~3任一项所述的ZSM-5沸石作为催化剂或催化剂载体的用途,其特征在于,所述催化剂用在由甲醇制丙烯的反应中。
5.一种权利要求2~3任一项所述的ZSM-5沸石作为催化剂或催化剂载体的用途,其特征在于,所述ZSM-5沸石作为催化剂载体为用作制备复合半导体光催化剂的载体。
6.根据权利要求5所述的用途,其特征在于,所述制备复合半导体光催化剂包括以下步骤:
将钛酸正丁酯、乙醇和硝酸以5~8:20~30:1~5的体积比混合,室温下搅拌15~60min后形成溶液,将上述ZSM-5沸石添加到所述溶液中,再搅拌0.5~2小时形成混合物,然后将0.5~5mL去离子水缓慢加入上述混合物中然后搅拌,保持搅拌速度为40~80rpm,反应温度控制在60~80℃,水解钛酸丁酯使其吸附在ZSM-5颗粒表面形成凝胶,然后在90~110℃下干燥10~15h以除去溶剂,然后水洗ZSM-5颗粒,再在300~500℃下煅烧1~3h,即得所述复合半导体光催化剂,所述复合半导体光催化剂中TiO2占所述ZSM-5质量的5~50%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院,未经北京大学深圳研究生院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110737528.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





