[发明专利]一种兰姆波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种兰姆波谐振器，其特征在于，包括：

衬底结构，其表面形成有空气腔室；

兰姆波谐振结构，其包括压电振动结构，位于压电振动结构上表面的叉指电极，及位于压电振动结构下表面的底部平板电极；

所述兰姆波谐振结构悬置于所述衬底结构的空气腔室内，且所述兰姆波谐振结构通过其纵向两端的支撑轴与所述衬底结构固定连接；

在各支撑轴与衬底结构连接的锚点处对应的衬底结构上分别设置有金属板。

2.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述金属板的厚度为0.5-1.1μm，宽度为6-18μm。

3.根据权利要求2所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述金属板的厚度为O.7μm，宽度为12μm。

4.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述金属板的材质选自用金、铝或钼。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述叉指电极为方形振子梳齿电极结构的金或钼薄膜。

6.根据权利要求5项所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述压电振动结构的材料为氮化铝。

7.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述底部平板电极的材料为钼。

8.根据权利要求7所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述方形振子梳齿电极结构的电极宽度为1.5μm，厚度为0.2μm；

所述压电振动结构的厚度为1μm；

所述底部平板电极的厚度为0.2μm。

9.权利要求1-8中任一项所述的兰姆波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1、在高阻硅衬底上形成SiO₂释放保护层，

步骤2、在SiO₂释放保护层上形成多晶硅释放牺牲层，

步骤3、刻蚀多晶硅至暴露出SiO₂以形成环形凹槽，从所述凹槽中继续生长SiO₂并进行CMP处理，以形成SiO₂释放保护侧壁，

步骤4、生长第一金属薄膜并刻蚀形成底部平板电极，

步骤5、生长压电材料层，

步骤6、在压电材料层上方生长第二金属层并图案化形成叉指电极，

步骤7、通过刻蚀压电材料层在其上图案化形成释放窗口，所述释放窗口暴露出所述多晶硅释放牺牲层；

步骤8、溅射沉积并图案化形成金属板，

步骤9、通过所述释放窗口刻蚀所述多晶硅释放牺牲层，以去除所述SiO₂释放保护层和SiO₂释放保护侧壁所包围的多晶硅，使所述兰姆波谐振结构悬置于所述衬底结构的空气腔室内。

10.根据权利要求9所述的兰姆波谐振器的制备方法，其特征在于，

步骤1中形成的SiO₂释放保护层的厚度为1μm；

步骤2中形成的多晶硅释放牺牲层的厚度为1.5μm。