[发明专利]显示基板、显示装置在审
申请号: | 202110707957.X | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113410279A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 都蒙蒙;王蓉;田东辉;樊聪;董向丹;袁长龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板、显示装置,涉及显示技术领域,用于提升显示产品的显示亮度。所述显示基板包括:基底和设置于所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;所述多个子像素包括:多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素包括第一子像素驱动电路,所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管;所述第二子像素包括第二子像素驱动电路,所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。本发明提供的显示基板用于形成具有显示功能的显示装置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active Matrix Light Emitting Diode,简称:AMOLED)显示屏,具有自发光、广色域、高对比度、轻薄等优点。被广泛应用于手机、穿戴电子设备、车载等小尺寸和中大尺寸显示产品中。
由于中大尺寸显示产品的显示亮度远高于小尺寸显示产品,中大尺寸的显示产品对显示亮度提出了更高的要求,因此,如何更好的提升显示产品的显示亮度成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板、显示装置,用于提升显示产品的显示亮度。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括:基底和设置于所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;所述多个子像素包括:
多个第一子像素,所述第一子像素包括第一子像素驱动电路,所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管;所述第一驱动晶体管包括第一栅极层和第一有源层,所述第一有源层包括第一沟道图形,所述第一沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第一栅极层在所述基底上的正投影内部;所述第一沟道图形用于形成所述第一驱动晶体管的沟道;
多个第二子像素,所述第二子像素包括第二子像素驱动电路,所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管,所述第二驱动晶体管包括第二栅极层和第二有源层,所述第二有源层包括第二沟道图形,所述第二沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第二栅极层在所述基底上的正投影内部;所述第二沟道图形用于形成所述第二驱动晶体管的沟道;
所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。
可选的,所述第一驱动晶体管的沟道宽长比W1/L1与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足:2×(W2/L2)≤W1/L1≤5×(W2/L2)。
可选的,所述第一沟道图形包括第一沟道边界,所述第一栅极层包括第一栅极边界,所述第一沟道边界与所述第一栅极边界相邻,所述第一沟道边界的延伸方向与所述第一栅极边界的延伸方向大致相同,所述第一沟道边界在所述基底上的正投影,与所述第一栅极边界在所述基底上的正投影之间具有最小的第一距离d1,d1满足:4μm≤d1≤8μm。
可选的,所述第一沟道图形包括第一子图形,第二子图形和第三子图形;所述第一子图形的至少部分沿第一方向延伸,所述第二子图形的至少部分沿所述第一方向延伸,所述第三子图形的至少部分沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向相交;
所述第一子图形与所述第三子图形的第一端耦接,所述第二子图形与所述第三子图形的第二端耦接,所述第一子图形位于所述第三子图形的第一侧,所述第二子图形位于所述第三子图形的第二侧,所述第一侧和所述第二侧沿所述第一方向相对。
可选的,所述第三子图形在所述第二方向具有第一长度d2,d2满足:3μm≤d2≤4μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110707957.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的