[发明专利]材料表面雾的检测方法和装置

权利要求书

1.一种检测材料表面雾的方法，其包括以下步骤：

-任选地初检：对材料进行初检，获得表面无目视可见缺陷的材料；和

-表面雾检测，包括用入射光辐照所述材料的步骤和信号检测步骤，所述信号检测步骤包括用探测器检测所述入射光照射在被测材料表面上产生的散射光信号；

其中，在表面雾检测设备中，在所述探测器的接收光路中通过光学过滤器模组过滤掉所述材料的光致发光信号，使其不被所述探测器检测到，

其中所述入射光是波长≦660nm的单色激光，

其中所述材料是具有光洁表面的材料，

其中所述探测器对波长为280-1100nm的光信号响应，

其中所述光学过滤器模组包括滤光膜和/或滤光片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述入射光为波长≦490nm的单色激光。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述过滤使所述信号检测能够检测到波长小于光致发光波长的光。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述过滤使所述信号检测能够检测到波长不大于光致发光波长-20nm的光。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述过滤使所述信号检测能够检测到波长范围在入射光波长±20nm的光。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过滤使所述信号检测能够检测到波长范围在入射光波长值±10nm的光。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过滤使所述信号检测能够检测到波长为入射光波长的光。

8.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于，所述材料是半导体材料、玻璃或陶瓷。

9.根据权利要求8所述的方法，所述材料是半导体晶片。

10.根据权利要求9所述的方法，所述半导体晶片的带隙为1.12-1.53eV。

11.根据权利要求10所述的方法，所述半导体晶片的带隙为1.35-1.43eV。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片选自化合物半导体晶片。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片选自直接带隙半导体晶片。

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片选自InP或GaAs晶片。

15.一种检测材料表面雾的装置，其包括：

材料装载装置，包括用于放置所述材料的样品台；

激光扫描装置，包括用于发射入射光的激光源，所述入射光为波长为≦660nm的单色激光；

信号检测装置，包括探测器；所述探测器对波长为280-1100nm的光信号响应，和

数据分析装置，包括测试软件，对所述信号检测装置检测到的信号进行分析；

其中，所述检测材料表面雾的装置还包括光学过滤器模组，用于过滤掉所述材料的光致发光信号；在沿待检测散射光信号的传播方向上，所述光学过滤器模组被配置于所述探测器之前，

其中，所述光学过滤器模组包括滤光片和/或滤光膜。

16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述入射光为≦490nm的单色激光。

17.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述探测器为可见光探测器。