[发明专利]ITO靶材的制备方法

说明书

本发明涉及一种ITO靶材的制备方法，该方法收集在造粉步骤之后，未经成型烧结的粒径不符合生产要求的ITO复合粉体进行回收制备步骤，使用特定的温度进行煅烧，就能在避免晶向定型的情况下，去除ITO复合粉体内的有机物杂质，使ITO复合粉体还原分散成小颗粒的氧化铟和氧化锡混合粉末，再重新执行造粉步骤就能得到粒径符合生产要求的ITO复合粉体，由此得到的ITO复合粉体不易发生团聚，能避免成型压制生坯的过程中出现较多气孔，制备得到的ITO靶材烧结密度高。本发明提供的ITO靶材的制备方法工艺简单，且回收制备步骤中未使用对环境有污染的试剂，更环保。

技术领域

本发明涉及ITO靶材生产技术领域，尤其涉及一种ITO靶材的制备方法。

背景技术

铟锡氧化物靶材，Indium Tin Oxide靶材，简称ITO靶材，是将氧化铟和氧化锡两种金属氧化物的粉末进行混合后加工成ITO复合粉体，然后对ITO复合粉体进行压制、高温烧结而形成的陶瓷功能材料。ITO靶材经真空磁控溅射镀膜后，可在玻璃等基底上形成ITO透明导电薄膜，ITO薄膜对可见光透过率高，且红外光区反射率高，紫外光区吸收率高，具有良好的导电性、衬底基材附着性以及化学稳定性，近几年来在工业上获得了广泛的应用。

由于铟是一种稀有金属，价格比较昂贵，回收利用ITO靶材显得尤为重要。目前常见的能够回收的ITO靶材的来源主要有两种，一种是ITO靶材在磁控溅射镀膜后残余的废靶，另一种是对烧结后形状尺寸未达到标准的不良靶材进行切削打磨而产生的靶材废料。目前的回收处理方式都是将废靶或靶材废料进行酸泡、破碎等处理，得到ITO粒料。

ITO复合粉体经烧结后晶粒之间会形成连续的晶界，导致晶向定型，这个过程往往是不可逆的，烧结后晶粒之间形成的晶界通过现有的回收方式无法解除，因此，对上述两种来源的ITO靶材进行回收处理后，受晶界限制不能直接复原得到原始的氧化铟和氧化锡混合粉末，而只能得到晶向定型的ITO粒料，这些ITO粒料在进行压制的过程中容易团聚，导致压制出的生坯气孔较多，气孔经过烧结后也无法完全排除，因此用这些粒料压制出来的生坯进行烧结以后难以得到强度和密度高的ITO靶材。且这些常见的回收处理方式工序复杂，回收成本高，且处理过程使用的包括酸在内的试剂可能对环境造成污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ITO靶材的制备方法，回收制备工艺简单且对环境无污染。

为实现上述目的，本发明提供一种ITO靶材的制备方法，

包括主制备步骤：

S1、以氧化铟粉末和氧化锡粉末为原料执行造粉步骤，得到ITO复合粉体；

S2、取粒径在20～80μm的ITO复合粉体进行成型烧结，得到ITO靶材；

还包括回收制备步骤：

S3、收集步骤S1所得的复合粉体当中粒径在20-80μm以外的ITO复合粉体进行煅烧，从而将ITO复合粉体分散还原成小颗粒的氧化铟和氧化锡混合粉末，所述煅烧的温度低于将ITO复合粉体烧结成ITO靶材的最低温度；

S4、以步骤S3得到的氧化铟和氧化锡混合粉末为原料执行造粉步骤，得到粒度为20～80 μm的ITO复合粉体；

S5、对步骤S4得到的ITO复合粉体进行成型烧结，得到ITO靶材；

其中的造粉步骤包括：

a.加入分散剂和水对原料进行球磨之后，再加入一次分散剂和水进行砂磨；

b.加入粘结剂和消泡剂，搅拌得到ITO浆料；

c.对ITO浆料进行喷雾造粒。