[发明专利]一种氟硅聚合物及其制备方法

说明书

本发明公开了一种氟硅聚合物及其制备方法，其中的制备方法包括：按质量份数，称取如下组分：含氢硅油100份，含氟化合物0.1～1000份，长链硅油1～1000份，铂金催化剂0.001～10份，酸性催化剂0.001～10份；将含氟化合物和铂金催化剂混合为反应溶液A；将长链硅油和酸性催化剂混合后得到反应溶液B；将含氢硅油和反应溶液A经不同的管道导入至第一微反应器内，将反应温度调节至120～150℃，充分反应获得中间产物C；将中间产物C和反应溶液B经不同的管道导入至第二微反应器内，将反应温度调节至150～170℃，充分反应获得所述氟硅聚合物。

技术领域

本发明涉及氟硅聚合物制备领域，具体涉及一种氟硅聚合物及其制备方法。

背景技术

硅聚合物凭借优异的耐热性、耐候性、耐油性、耐磨性、耐腐蚀性，高透光性、高阻燃性，低表面能、低介电系数，被誉为工业材料“王冠上的明珠”，在航空航天、交通运输、电子电路等领域的地位至关重要，是具有国家战略意义的特种材料。

传统的氟硅聚合物主要采用两条技术路线：水解法和开环法。水解法是采用氟硅烷通过氯离子或者甲氧基、乙氧基的水解得到氟硅聚合物。然而，其制备的方法有两个弊端：1，水解后产生大量的废水；2，反应后需要中和，产生废渣；3，生成的聚合物分子量较低，且有大量的环体形成，聚合物纯度较低。开环法则容易在合成的过程中产生重排现象，即无法将环体转化为高分子聚合物，严重影响其性能。

目前，大部分的氟硅聚合物均采用上述两种方法制备得到，产品在电子电路领域中的应用遇到瓶颈。

发明内容

为了克服传统的有机硅聚合物涂层存在的上述缺陷，本发明第一方面提供了一种氟硅聚合物的制备方法，其具体技术方案如下：

一种氟硅聚合物的制备方法，其包括：

按质量份数，称取如下组分：

将含氟化合物和铂金催化剂混合为反应溶液A；

将长链硅油和酸性催化剂混合后得到反应溶液B；

将含氢硅油和反应溶液A经不同的管道导入至第一微反应器内，将反应温度调节至120～150℃，充分反应获得中间产物C；

将中间产物C和反应溶液B经不同的管道导入至第二微反应器内，将反应温度调节至150～170℃，充分反应获得所述氟硅聚合物。

在一些实施例中，所述含氢硅油的含氢量为1.2～1.6％。

在一些实施例中，所述含氟化合物的结构如下：

其中，R为间隔基团，R为-O-，-S-，C_nH_2n，-COO-，-CO-中的一种，R’为 H或CH₃，T为-C_nF_2n+1或者全氟聚醚链段结构。

在一些实施例中，所述长链硅油的结构如下：

其中，X为H、CH₃、-CH＝CH₂、OH、丙烯酸酯基团中的一种，w＝0～1000， y＝0～1000。

在一些实施例中，铂金催化剂为卡斯特催化剂或者斯皮尔催化剂。

在一些实施例中，所述酸性催化剂为盐酸、硫酸、磷酸、杂多酸的一种或几种。

本发明第二方面还提供了一种氟硅聚合物，所述氟硅聚合物由上述任一项所述的制备方法制备而成。

本发明制备的氟硅聚合物适合用于电路板、玻璃制品、集成电路板等材料的离型防护，也可用于涂料的助剂。

附图说明