[发明专利]测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法在审
申请号: | 202110704028.3 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113539870A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 邓志江;林氦;盛况;郭清 | 申请(专利权)人: | 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杨舟涛 |
地址: | 312000 浙江省绍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 晶圆上一 开关 元器件 电气 特性 方法 | ||
本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法,涉及晶圆级测试技术,通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通,则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通,则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通,第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极,同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极,如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性,因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针,因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径,大大减小了寄生电感,且无需改变测试装置的结构。
技术领域
本发明涉及晶圆级测试技术,尤其涉及一种测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法。
背景技术
在半导体集成电路技术中,半导体集成电路中的各种元器件通过半导体集成电路制造工艺形成在晶圆上。在晶圆制造完成之后,晶圆测试是非常重要的,测试设备通过与元器件的外接触电极接触,测试其电气特性,以判断晶圆上的元器件是否符合出厂标准。电气特性测试完成后,利用切割机分割各元器件,之后完成封装并出售,因此电气特性测试至关重要。
发明内容
本发明在于提供一种测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法,其中晶圆上包括多个开关元器件,每一开关元器件均包括第一电极和第二电极,多个开关元器件的第一电极互相连接,其特征在于,包括:当测试多个开关元器件中的第一开关元器件的电气特性时,控制使得多个开关元器件中的至少一个第二开关元器件导通,而使导通的第二开关元器件的第一电极与第二电极电连通;获得第一开关元器件的第二电极与第二开关元器件的第二电极之间的电参数而获得第一开关元器件的电气特性。
更进一步的,提供一测试装置,所述测试装置包括探针卡,探针卡上设置多个探针,移动探针卡使第一探针接触第一开关元器件的第二电极,第二探针接触第二开关元器件的第二电极,测试第一探针与第二探针接之间的电参数,而获得第一开关元器件的第二电极与第二开关元器件的第二电极之间的电参数,而获得第一开关元器件的电气特性。
更进一步的,所述测试装置还包括晶圆卡盘,晶圆卡盘通过晶圆的第一面支撑晶圆,并多个开关元器件的第一电极均位于晶圆的第一面,多个开关元器件的第二电极均位于晶圆的第二面,晶圆的第二面与晶圆的第一面为晶圆的两相对面。
更进一步的,所述测试装置还包括开关元器件驱动电路,用于输出开关控制信号至晶圆上的多个开关元器件,而控制使得多个开关元器件中的至少一个第二开关元器件导通。
更进一步的,探针设置在探针卡的与晶圆的第二面面对的一侧上。
更进一步的,所述第一探针和所述第二探针均位于所述探针卡的与所述晶圆的第二面直接面对的区域范围内。
更进一步的,所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件相邻排布的开关元器件。
更进一步的,所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件在X轴或Y轴方向上相邻排布的开关元器件。
更进一步的,所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件成斜角相邻排布的开关元器件。
更进一步的,所述第二开关元器件与所述第一开关元器件之间间隔至少一个开关元器件。
更进一步的,导通的第二开关元器件的个数为多个,所述第二探针包括多个探针,其中多个第二探针与导通的多个开关元器件的第二电极一一对应接触。
附图说明
图1为典型的晶圆测试系统结构示意图。
图2为晶圆上MOSFET的电路原理示意图。
图3为本发明一实施例的晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置示意图。
图4为晶圆上开关元器件的分布示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造