[发明专利]存储设备及其数据恢复方法

说明书

本发明实施例提供了一种存储设备，包括：至少一个存储阵列；所述存储阵列包括多个存储芯片；所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括多个存储平面；所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储页；所述存储阵列包括第一存储区域；所述第一存储区域包括至少一个存储页行；所述存储页行包括所述多个存储平面中具有相同编号的多个存储页；所述第一存储区域中的每个存储页用于存储第一校验数据；其中，所述第一校验数据包括相应存储页所属存储平面中剩余存储页存储数据的校验数据。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储设备及其数据恢复方法。

背景技术

存储设备，如固态硬盘(SSD，Solid State Disk)可以包括多个存储芯片，如NAND闪存，每个存储芯片可以包括多个存储平面，每个存储平面可以包括多个存储块，每个存储块可以包括多个存储页，每个存储页可以包括多个存储单元，每个存储单元可以被编程并存储一位或多位数据。在存储设备中出现少数位数的数据错误时，一般采用可以纠错的错误检查和纠正(ECC，Error Checking and Correction)编码对错误数据进行纠错或恢复。

然而，当出现多个位数据错误时，ECC校验算法无法对多个位错误数据进行纠错或恢复。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种存储设备及其数据恢复方法。

本发明实施例提供一种存储设备，包括：

至少一个存储阵列；所述存储阵列包括多个存储芯片；所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括多个存储平面；所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储页；

所述存储阵列包括第一存储区域；所述第一存储区域包括至少一个存储页行；所述存储页行包括所述多个存储平面中具有相同编号的多个存储页；所述第一存储区域中的每个存储页用于存储第一校验数据；其中，所述第一校验数据包括相应存储页所属存储平面中剩余存储页存储数据的校验数据。

上述方案中，所述第一存储区域包括最大编号的存储页形成的存储页行或者最小编号的存储页形成的存储页行。

上述方案中，所述多个存储页中的每个存储页包括多个存储单元；所述多个存储单元中的每个存储单元的存储位数包括一位或多位；

所述第一存储区域包括至少与所述存储位数相同数量的存储页行。

上述方案中，每个所述存储单元的存储位数包括三位；

所述第一存储区域包括至少三个存储页行；其中，

所述三个存储页行中的第一个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号能够被三整除的存储页存储数据的第一校验数据；所述三个存储页行中的第二个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号被三整除余一的存储页存储数据的第一校验数据；所述三个存储页行中的第三个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号被三整除余二的存储页存储数据的第一校验数据。

上述方案中，所述存储设备还包括第一缓存器；所述第一缓存器的容量与所述第一存储区域的容量相同，用于缓存所述第一存储区域中的第一校验数据。

上述方案中，所述存储芯片包括三维NAND存储器。

本发明实施例还提供了一种存储设备，包括：

至少一个存储阵列；所述存储阵列包括多个存储芯片；所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括多个存储平面；所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储页；