[发明专利]存储设备及其数据恢复方法

权利要求书

1.一种存储设备，其特征在于，包括：

至少一个存储阵列；所述存储阵列包括多个存储芯片；所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括多个存储平面；所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储页；

所述存储阵列包括第一存储区域；所述第一存储区域包括至少一个存储页行；所述存储页行包括所述多个存储平面中具有相同编号的多个存储页；所述第一存储区域中的每个存储页用于存储第一校验数据；其中，所述第一校验数据包括相应存储页所属存储平面中剩余存储页存储数据的校验数据。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述第一存储区域包括最大编号的存储页形成的存储页行或者最小编号的存储页形成的存储页行。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述多个存储页中的每个存储页包括多个存储单元；所述多个存储单元中的每个存储单元的存储位数包括一位或多位；

所述第一存储区域包括至少与所述存储位数相同数量的存储页行。

4.根据权利要求3所述的存储设备，其特征在于，每个所述存储单元的存储位数包括三位；

所述第一存储区域包括至少三个存储页行；其中，

所述三个存储页行中的第一个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号能够被三整除的存储页存储数据的第一校验数据；所述三个存储页行中的第二个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号被三整除余一的存储页存储数据的第一校验数据；所述三个存储页行中的第三个存储页行中的每个存储页用于存储相应存储页所属存储平面中剩余存储页的编号被三整除余二的存储页存储数据的第一校验数据。

5.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括第一缓存器；所述第一缓存器的容量与所述第一存储区域的容量相同，用于缓存所述第一存储区域中的第一校验数据。

6.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述存储芯片包括三维NAND存储器。

7.一种存储设备，其特征在于，包括：

至少一个存储阵列；所述存储阵列包括多个存储芯片；所述多个存储芯片中的每个存储芯片均包括多个存储平面；所述多个存储平面中的每个存储平面均包括按照同一编号规则进行编号的多个存储页；

所述存储阵列包括第一存储区域；所述第一存储区域包括至少一个存储页行；所述存储页行包括所述多个存储平面中具有相同编号的多个存储页；所述第一存储区域中的每个存储页用于存储第一校验数据；其中，所述第一校验数据包括相应存储页所属存储平面中剩余存储页存储数据的校验数据；

所述存储阵列还包括第二存储区域；所述第二存储区域包括一个存储平面中具有连续编号的多个存储页；所述第二存储区域中的每个存储页用于存储第二校验数据；其中，所述第二校验数据包括所述存储阵列中间隔预设个存储页行中各存储页存储数据的校验数据；所述第一存储区域与所述第二存储区域不存在重叠的存储页。

8.根据权利要求7所述的存储设备，其特征在于，所述第一存储区域包括最大编号的存储页形成的存储页行中的部分存储页；所述第二存储区域包括一个存储页列中具有连续编号，且包含最大编号的多个存储页。

9.根据权利要求8所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括第一缓存器及第二缓存器；其中，

所述第一缓存器的容量大于所述第一存储区域的容量，用于缓存各存储平面除第一存储区域所在存储页行外存储数据的校验数据；

所述第二缓存器的容量与所述第二存储区域的容量相同，用于缓存所述第二存储区域中的第二校验数据。

10.根据权利要求7所述的存储设备，其特征在于，所述存储阵列中的每个存储页包括多个存储单元；所述多个存储单元中的每个存储单元的存储位数包括一位或多位；

所述第一存储区域包括至少与所述存储位数相同数量的存储页行。