[发明专利]一种芯片设计方法及装置在审
申请号: | 202110700147.1 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113343627A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 南海卿;张晓强;张冠群 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;G06F30/392;G06F115/02;G06F119/04 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 设计 方法 装置 | ||
本发明实施例公开一种芯片设计方法及装置,涉及计算机技术领域,能够有效提升芯片老化后的性能。所述方法包括:获取芯片中待定单元的单元约束条件,所述单元约束条件包括所述待定单元的出厂性能约束、出厂能耗约束、老化性能约束、老化能耗约束;根据所述单元约束条件,在所述待定单元对应的标准单元库中选择目标单元作为所述待定单元,其中,所述目标单元的出厂性能参数、出厂能耗参数、老化性能参数、老化能耗参数都满足对应的所述单元约束条件,且所述目标单元为所述标准单元库所有满足所述单元约束条件的标准单元中,所述老化能耗参数最低的标准单元。本发明适用于芯片设计中。
技术领域
本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种芯片设计方法及装置。
背景技术
很多电子设备(例如高性能服务器)经常处于长时间的高速运行状态,设备中的芯片,例如CPU(Central Processing Unit,中央处理器)芯片,在长年运行中会受到各种器件老龄化现象的影响,导致器件电流生成能力减弱,进而影响芯片的正常工作,导致芯片和设备的性能越来越差。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种芯片设计方法及装置、芯片、电子设备、计算机可读存储介质、服务器,能够有效提升芯片老化后的性能。
第一方面,本发明的实施例提供一种芯片设计方法,所述方法包括:获取芯片中待定单元的单元约束条件,所述单元约束条件包括所述待定单元的出厂性能约束、出厂能耗约束、老化性能约束、老化能耗约束;根据所述单元约束条件,在所述待定单元对应的标准单元库中选择目标单元作为所述待定单元,其中,所述目标单元的出厂性能参数、出厂能耗参数、老化性能参数、老化能耗参数都满足对应的所述单元约束条件,且所述目标单元为所述标准单元库所有满足所述单元约束条件的标准单元中,所述老化能耗参数最低的标准单元。
可选的,所述获取芯片中待定单元的单元约束条件包括:根据所述芯片的总体约束条件和所述芯片的电路结构,确定所述待定单元的所述单元约束条件。
可选的,所述根据所述单元约束条件,在所述待定单元对应的标准单元库中选择目标单元作为所述待定单元包括:遍历所述待定单元对应的所述标准单元库中的所有标准单元,得到所述出厂性能参数、所述出厂能耗参数、所述老化性能参数、所述老化能耗参数分别都对应的所述单元约束条件的初选单元;从所述初选单元中选择所述老化能耗参数最低的初选单元作为所述待定单元。
可选的,所述从所述初选单元中选择所述老化能耗参数最低的初选单元作为所述待定单元包括:在所述老化能耗参数最低的初选单元为至少两个的情况下,选择性能衰减最慢或能耗衰减最快的初选单元作为所述待定单元。
可选的,所述根据所述单元约束条件,在所述待定单元对应的标准单元库中选择目标单元作为所述待定单元之前,所述方法还包括:对所述标准单元库中的各所述标准单元进行仿真,得到各所述标准单元的所述出厂性能参数、所述出厂能耗参数、所述老化性能参数、所述老化能耗参数。
第二方面,本发明的实施例还提供一种芯片设计装置,所述装置包括:获取模块,用于获取芯片中待定单元的单元约束条件,所述单元约束条件包括所述待定单元的出厂性能约束、出厂能耗约束、老化性能约束、老化能耗约束;选择模块,用于根据所述单元约束条件,在所述待定单元对应的标准单元库中选择目标单元作为所述待定单元,其中,所述目标单元的出厂性能参数、出厂能耗参数、老化性能参数、老化能耗参数都满足对应的所述单元约束条件,且所述目标单元为所述标准单元库所有满足所述单元约束条件的标准单元中,所述老化能耗参数最低的标准单元。
可选的,所述获取模块,具体用于根据所述芯片的总体约束条件和所述芯片的电路结构,确定所述待定单元的所述单元约束条件。
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