[发明专利]一种联合IG值和SAR反演高精度电子密度的方法有效

专利信息
申请号: 202110698415.0 申请日: 2021-06-23
公开(公告)号: CN113433524B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 朱武;孙全;陈镜渊;张勤;李振洪;雷洋 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: G01S7/41 分类号: G01S7/41
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 李鹏
地址: 710064 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 联合 ig sar 反演 高精度 电子密度 方法
【权利要求书】:

1.一种联合IG值和SAR反演高精度电子密度的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)基于法拉第旋转角算法的全极化SAR数据获取图像范围内的SAR VTEC;

(2)基于SAR VTEC作为约束条件使用IG优化构建三维电子密度;

步骤(1)具体包括如下子步骤:

(1.1)获取全极化SAR数据,根据式(1)及雷达系统参数对HH、HV、VH、VV四种极化方式的数据进行误差矫正,得到经系统误差矫正后的观测值散射矩阵M:

式中A是雷达系统的总体增益,j为虚数单位,φ为双程相位延迟,Ω为单程法拉第旋转角;S为真实散射矩阵,N为附加噪声矩阵,δ1,δ2,δ3,δ4为因H和V极化发射和接收的非完全独立导致的串扰,f1,f2为通道失配,hh、vh、vv、vh下角标代表对应极化方式;

(1.2)使用Bickel and Bates FR角估计器计算法拉第旋转角;

首先根据公式(2)将线性极化方式转换为圆极化方式,将散射矩阵M进行如下矩阵变换:

式中,j为虚数单位;Mhh、Mvh、Mhv、Mvv为四种极化方式的单视复数影像的观测值散射矩阵;Z11、Z12、Z21、Z22为转换后矩阵对应值;

随后,根据式(3)使用转换后的矩阵Z计算法拉第旋转角;

式中arg代表对复数取幅角,*代表取其共轭数;考虑到SAR数据在距离向和方位向的特点,为减少计算量对初步计算的进行多视处理,多视比为距离向:方位向=5:35;计算后可先对其进行自适应光谱滤波后在取幅角以减少噪声;

(1.3)利用研究区域的FR角结合磁场信息计算VTEC;使用如下公式计算VTEC:

式中,f为信号频率,B0为磁场强度,θ为磁场与SAR信号夹角,为信号入射角;其中,f信号频率可从SAR数据参数文件中获取;磁场强度B0为从IGRF提取300千米处的磁场值,IGRF还可获取磁倾角以及磁偏角信息;研究区信号入射角分布通过利用研究区数字高程模型以及SAR数据参数文件计算得到;将获得的SAR入射角以及磁场信息转换至对应研究区的SAR坐标系下,计算磁场与SAR入射角之间的θ的分布;最终通过上式计算研究区域的SARVTEC分布。

2.根据权利要求1所述的一种联合IG值和SAR反演高精度电子密度的方法,其特征在于,步骤(2)包括如下子步骤:

(2.1)拟合IG值与VTEC的函数关系;

以SAR数据采集时间为准,选择研究区域某一处作为研究IG值与VTEC的参考点;将IG值范围为以10为间隔划分为的0到400的等差数列,并向IRI模型输入时间、经纬度及IG值,获得IRI模型输出的该IG值对应的电子密度剖线;根据公式(5)对其进行积分计算该剖线的VTEC;

式中Hmin为垂直总电子含量的起始高度,Hmax为垂直总电子含量的终止高度,单位均为千米,N(h)为高度为h千米处的电子密度,单位为ele/km3,∑N(h)为求和符号,代表对从起始高度到终止高度的电子密度求和;将获取的IG值及对应的VTEC采用多项式拟合为形如式(6)的四次多项式,式中a、b、c、d、e为待拟合参数:

IG=a*VTEC4+b*VTEC3+c*VTEC2+d*VTEC+e (6)

(2.2)获取研究区域IG值;

以SAR VTEC作为约束条件,将SAR VTEC带入拟合后的公式(6),解算出整幅影像SARVTEC对应的IG值;

(2.3)估计研究区域三维电子密度;

获取整幅影像SAR VTEC对应的IG值后,构建三维电子密度。

3.根据权利要求2所述的一种联合IG值和SAR反演高精度电子密度的方法,其特征在于,步骤(2.3)通过如下步骤计算构建三维电子密度:

(2.3.1)选择SAR影像上的点,获取其时间、经纬度及VTEC对应的IG值;

(2.3.2)将时间、经纬度以及IG值作为输入,使用IRI模型获取该点处三维电子密度剖线;重复上述(2.3.1)(2.3.2)步骤直至获取SAR影像数据范围内所有数据点位的三维电子密度剖线,从而获取整个研究区域的三维电子密度分布。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长安大学,未经长安大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110698415.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top