[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202110697787.1 | 申请日: | 2021-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN113948552A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
| 发明(设计)人: | 金连洪;高殷慧;金恩贤;李京垣;李善熙;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置,包括:基底;防腐蚀层,所述防腐蚀层在所述基底上,并且包括无机材料;第一导电层,所述第一导电层在所述防腐蚀层上,并且包括铝或铝合金;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述第一导电层上;半导体层,所述半导体层在所述第一绝缘膜上,并且包括晶体管的沟道区域;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述半导体层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层,其中,所述半导体层包括氧化物半导体,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。
本申请要求于2020年7月16日提交的第10-2020-0087975号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置正变得越来越重要。因此,已经使用了诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置等的各种显示装置。
典型的显示装置包括代表不同颜色(例如,能够显示不同颜色)的多个像素,并且因此可以实现颜色的显示。为了使像素独立地操作并显示不同的颜色,显示装置可以包括用于传输驱动信号的驱动信号线和设置在像素中的各种功能电极。
例如,需要驱动信号线具有低电阻、高热稳定性和易加工性。
发明内容
本公开的实施例的各方面涉及一种能够在实现高分辨率的同时通过改善信号延迟来提供提高的显示质量的显示装置,并且涉及一种制造显示装置的方法。
然而,本公开的实施例的各方面不受限于或不局限于本文阐述的那些方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的实施例的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更明显。
显示装置的实施例包括:基底;防腐蚀层,所述防腐蚀层在所述基底上,并且包括(例如,是)无机材料;第一导电层,所述第一导电层在所述防腐蚀层上,并且包括(例如,是)铝或铝合金;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述第一导电层上;半导体层,所述半导体层在所述第一绝缘膜上,并且包括晶体管的沟道区域;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述半导体层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括包含(例如,是)钛的阻挡层和包含(例如,是)铝或铝合金的主导电层,其中,所述半导体层包括(例如,是)氧化物半导体,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。
显示装置的实施例包括:基底;半导体层,所述半导体层在所述基底上,并且包括晶体管的沟道区域;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜在所述半导体层上;第一导电层,所述第一导电层在所述第一绝缘膜上,并且包括包含(例如,是)钛的阻挡层、包含(例如,是)铝或铝合金的主导电层以及包含(例如,是)钛的覆盖层;第二绝缘膜,所述第二绝缘膜在所述第一导电层上;以及第二导电层,所述第二导电层在所述第二绝缘膜上,并且包括所述晶体管的源极电极和漏极电极,其中,所述半导体层包括氧化物半导体,所述第一导电层包括所述晶体管的栅极电极,并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间,并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。
根据本公开的实施例的前述和其他方面,可以在提供高分辨率的同时通过改善信号延迟来提供提高的显示质量。
根据以下详细描述、附图和权利要求,本公开的实施例的其他特征和方面可以是明显的。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的实施例,本公开的实施例的上述和其它方面及特征将变得更明显,在附图中:
图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图;
图2是图1的显示装置的框图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





