[发明专利]基于FePt材料的磁化翻转器件、无外磁场翻转方法及应用有效
申请号: | 202110695410.2 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113488584B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 游龙;李若凡;郭喆;张帅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H10N52/00 | 分类号: | H10N52/00;H10N50/10;H10N50/85 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 夏倩;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 fept 材料 磁化 翻转 器件 磁场 方法 应用 | ||
1.一种基于FePt材料的磁化翻转器件,用于实现无外磁场翻转,其特征在于,从下至上依次包括:单晶衬底、FePt层以及多层复合翻转层;
所述FePt层为L10相的单层FePt薄膜,用于在电流诱导下发生部分磁化翻转;
所述复合翻转层从下至上依次包括:隔离层和诱导层;
所述诱导层用于提供平面方向的杂散场或铁磁交换耦合,以打破系统对称性,实现无外磁场下的确定性磁矩翻转;
所述隔离层用于防止FePt层与诱导层之间发生原子渗透,所述隔离层的材料为TiN。
2.如权利要求1所述的基于FePt材料的磁化翻转器件,其特征在于,所述FePt层的厚度为5nm-40nm。
3.如权利要求1所述的基于FePt材料的磁化翻转器件,其特征在于,所述诱导层的材料为NiFe。
4.如权利要求1~3任一项所述的基于FePt材料的磁化翻转器件,其特征在于,所述单晶衬底上的各膜层为相同的霍尔条形状;
所述霍尔条形状中相交的两个通道分别为电流通道和电压通道,所述霍尔条形状的四端分别沉积有电极;所述电流通道用于施加电流,所述电压通道用于测量霍尔电压。
5.一种基于权利要求1~4任一项所述的基于FePt材料的磁化翻转器件的无外磁场翻转方法,其特征在于,包括:
在所述诱导层实现磁化饱和之后,预先标定所述基于FePt材料的磁化翻转器件中翻转比率与最大翻转电流之间的关系;
根据翻转比率与最大翻转电流密度之间的关系,结合翻转比率要求,确定相应的脉冲电流,并向所述基于FePt材料的磁化翻转器件施加该脉冲电流,以实现无外磁场翻转。
6.如权利要求1~4任一项所述的基于FePt材料的磁化翻转器件在集成电路、存储器件或逻辑器件中的应用。
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