[发明专利]针对封装内存储器的直接测试在审
| 申请号: | 202110692547.2 | 申请日: | 2021-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN113921073A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 宋泽尚;李贤见;S·S·马利克;金康永 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G11C29/18 | 分类号: | G11C29/18;G11C29/26 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 针对 封装 内存储器 直接 测试 | ||
本申请涉及针对封装内存储器的直接测试。存储器子系统封装可包含非易失性存储器、可经配置为高速缓冲存储器的易失性存储器,以及控制器。存储器子系统可支持对所述非易失性存储器的直接存取以用于使用所述存储器子系统的主机接口而非使用所述封装上的专用接触件来测试所述封装中的所述非易失性存储器。为了确保在测试操作期间的确定性的行为,所述存储器子系统可在启用测试模式进行操作时将从主机装置(例如自动化测试设备)接收到的命令转发到所述非易失性存储器的存储器接口并且绕过高速缓冲存储器相关的电路系统。所述存储器子系统可包含绕过所述高速缓冲存储器的单独的导电路径以用于在测试期间将命令和地址转发到所述存储器接口。
本专利申请主张宋(Song)等人在2020年6月23日申请的标题为“针对封装内存储器的直接测试(DIRECT TESTING FOR IN-PACKAGE MEMORY)”的第63/042,955号美国临时专利申请以及2021年6月16日申请的标题为“针对封装内存储器的直接测试(DIRECT TESTINGFOR IN-PACKAGE MEMORY)”的第17/349,612号美国专利申请的优先权,所述申请中的每一篇转让给本受让人,且所述申请中的每一篇明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
技术领域涉及针对封装内存储器的直接测试。
背景技术
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可编程为两种支持状态中的一种,通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两种状态,可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储的信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息,组件可写入或编程存储器装置中的状态。
存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。
发明内容
描述了一种设备。所述设备可包含:存储器阵列;接口控制器,其与所述存储器阵列耦合并且经配置以使得所述设备:确定是否启用所述设备的第一模式;至少部分地基于确定启用所述第一模式而停用所述设备的高速缓冲存储器电路系统;在停用所述高速缓冲存储器电路系统之后从主机装置接收与具有第一位数量的第一地址相关联的一或多个命令;至少部分地基于所述第一地址产生具有第二位数量的第二地址,所述第二位数量大于所述第一位数量;以及至少部分地基于产生所述第二地址而在所述存储器阵列上执行存取操作。
描述了一种设备。所述设备可包含:存储器单元阵列;以及接口控制器,其与所述存储器单元阵列耦合,所述接口控制器包括:主机接口,其经配置以从主机装置接收命令;高速缓冲存储器管理电路系统,其与解码器耦合,以及存储器接口电路系统,其与所述高速缓冲存储器管理电路系统耦合并且与所述解码器耦合,所述存储器接口电路系统经配置以基于从所述主机装置接收到的所述命令存取所述存储器单元阵列,其中所述接口控制器经配置以使得所述设备:从所述主机装置接收命令,确定是否启用所述设备的第一操作模式,以及至少部分地基于确定启用所述第一操作模式而经由旁路路径将所述命令直接地提供到所述存储器接口电路系统。
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