[发明专利]改善外延片波长均匀性的石墨基板有效
申请号: | 202110691679.3 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113652667B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 葛永晖;梅劲;陈张笑雄;王慧 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/02;H01J37/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 外延 波长 均匀 石墨 | ||
1.一种改善外延片波长均匀性的石墨基板,其特征在于,所述石墨基板包括多个子基板和连接轴,所述多个子基板的结构均相同,每个所述子基板均为扇形,所述多个子基板围绕所述连接轴的周向间隔布置,且所述多个子基板的一端均与所述连接轴连接;
每个所述子基板的上表面均具有多个弧形区域,每个所述弧形区域内均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽,且所述多个子基板上的同一弧形区域内的所述至少一个凹槽呈环形布置;
从所述子基板的靠近所述连接轴的一端至所述子基板的远离所述连接轴的一端,所述多个弧形区域中的每个所述弧形区域的厚度均由厚至薄变化,每个所述弧形区域的最大厚度和最小厚度的差值为1~5mm,每个所述弧形区域的厚度均为5~20mm,每个所述子基板对应的扇形圆心角为30°~90°。
2.根据权利要求1所述的石墨基板,其特征在于,所述多个子基板的个数为n,n=2m,m表示单个所述子基板上的所述弧形区域的个数,1<m。
3.根据权利要求1所述的石墨基板,其特征在于,从所述子基板的靠近所述连接轴的一端至所述子基板的远离所述连接轴的一端,所述多个弧形区域内的所述凹槽的个数逐渐增多。
4.根据权利要求1至3任一项所述的石墨基板,其特征在于,所述连接轴为直径为10~20cm的圆柱。
5.根据权利要求4所述的石墨基板,其特征在于,所述连接轴的轴向长度等于所述子基板的最大厚度。
6.根据权利要求1至3任一项所述的石墨基板,其特征在于,所述多个子基板和所述连接轴为一体成型结构。
7.根据权利要求1至3任一项所述的石墨基板,其特征在于,所述多个子基板和所述连接轴均由石墨基材制成,且所述多个子基板的上表面均镀有碳化硅涂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司,未经华灿光电(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110691679.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的